| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 有机发光二极管的发展历史 | 第10-12页 |
| 1.3 有机发光二极管的工作原理 | 第12-14页 |
| 1.4 有机发光二极管所面临的问题以及选题意义和主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 有机半导体界面理论和实验部分 | 第16-28页 |
| 2.1 有机半导体中的电子结构与过程 | 第16-17页 |
| 2.1.1 分子轨道理论 | 第16页 |
| 2.1.2 能带理论 | 第16-17页 |
| 2.2 有机半导体的界面理论 | 第17-24页 |
| 2.2.1 界面能级排列 | 第17-21页 |
| 2.2.2 界面电子结构 | 第21-24页 |
| 2.3 光电子能谱仪的工作原理 | 第24-26页 |
| 2.4 实验部分 | 第26-28页 |
| 第三章 新型NiO_x薄膜的合成 | 第28-35页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 溶液法合成NiO_x及晶体结构和表面形貌表征 | 第28-30页 |
| 3.3 NiO_x电子结构表征 | 第30-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 有机-无机界面能级修饰 | 第35-53页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 NiO_x表面修饰 | 第35-40页 |
| 4.2.1 实验样品的制备 | 第36页 |
| 4.2.2 NiO_x基底修饰 | 第36-40页 |
| 4.3 NiO_x/CBP界面电子结构 | 第40-45页 |
| 4.3.1 NiO_x/CBP界面电子结构 | 第40-41页 |
| 4.3.2 NiO_x/MoO_3/CBP界面电子结构 | 第41-42页 |
| 4.3.3 NiO_x/Cs_2CO_3/CBP界面电子结构 | 第42-43页 |
| 4.3.4 NiO_x/PEI/CBP界面电子结构 | 第43-45页 |
| 4.4 NiO_x/CBP界面能级对齐调控 | 第45-52页 |
| 4.4.1 MoO_3修饰NiO_x的界面能级调控 | 第45-47页 |
| 4.4.2 Cs_2CO_3修饰NiO_x的界面能级调控 | 第47-49页 |
| 4.4.3 PEI修饰NiO_x的界面能级调控 | 第49-51页 |
| 4.4.4 能级调控中的基底效应 | 第51-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 界面修饰在有机电致器件中的应用 | 第53-59页 |
| 5.1 引言 | 第53-54页 |
| 5.2 基于修饰NiO_x的单一电荷传输器件 | 第54-57页 |
| 5.2.1 器件制备 | 第54页 |
| 5.2.2 性能表征 | 第54-57页 |
| 5.3 基于修饰的NiO_x的OLED器件 | 第57-58页 |
| 5.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 分子取向对有机-无机界面能级排列的影响 | 第59-69页 |
| 6.1 引言 | 第59-61页 |
| 6.2 F_(16)CuPc在Au基底上的分子取向以及能级排列方式 | 第61-65页 |
| 6.3 F_(16)CuPc在MoS_2基底上的分子取向以及能级排列方式 | 第65-68页 |
| 6.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第七章 全文总结和展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 攻读学位期间本人出版或者公开发表的论著、论文 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
