| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 主要符号对照表 | 第8-11页 |
| 1 绪论 | 第11-18页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·高k材料 | 第12-14页 |
| ·高k材料的薄膜形态 | 第14-15页 |
| ·高k材料的研究现状 | 第15页 |
| ·衬底的选择 | 第15-16页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 2 稀土氧化物薄膜的制备及表征技术 | 第18-28页 |
| ·非晶薄膜的制备技术 | 第18-22页 |
| ·磁控溅射技术 | 第18-19页 |
| ·磁控溅射设备 | 第19-21页 |
| ·真空热蒸发台 | 第21-22页 |
| ·薄膜物理特性的表征技术 | 第22-27页 |
| ·X射线衍射 | 第22-23页 |
| ·俄歇电子能谱（AES） | 第23-24页 |
| ·椭偏仪 | 第24-25页 |
| ·X-射线光电子能谱 | 第25-26页 |
| ·原子力显微镜（Atomic Force Microscopy-AFM） | 第26-27页 |
| ·紫外可见分光光度计 | 第27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 3 非晶氧化镧在硅基上的生长及测试 | 第28-35页 |
| ·实验过程 | 第28-30页 |
| ·实验准备阶段 | 第28-29页 |
| ·实验阶段 | 第29页 |
| ·退火处理 | 第29-30页 |
| ·样品的结构及形貌测试 | 第30-32页 |
| ·样品的XRD测试 | 第30-31页 |
| ·样品的AES测试 | 第31页 |
| ·样品的AFM测试 | 第31-32页 |
| ·C-V测试结果 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 4 氧化镧的漏电流机制 | 第35-46页 |
| ·研究漏电流输运机制的必要性 | 第35页 |
| ·实验方法 | 第35-36页 |
| ·金属/La_2O_3/Si 结构漏电流机制的原理 | 第36-37页 |
| ·漏电流输运机制分析 | 第37-45页 |
| ·常温下的漏电流机制 | 第37-40页 |
| ·F-N隧穿的原理 | 第40-41页 |
| ·F-N 隧穿研究 | 第41-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 5 氧化镧薄膜的能带研究 | 第46-54页 |
| ·La_2O_3禁带宽度的测量 | 第47-49页 |
| ·光学方法测量La_2O_3禁带宽度 | 第47-48页 |
| ·XPS方法测量La_2O_3禁带宽度 | 第48-49页 |
| ·La_2O_3/Si的能带偏移原理 | 第49-50页 |
| ·La_2O_3/Si能带偏移的计算 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 6 通过拉曼光谱研究氧化饵薄膜的结构特性 | 第54-59页 |
| ·拉曼光谱研究氧化饵的可行性 | 第54页 |
| ·实验设计 | 第54页 |
| ·测试结果与讨论 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 7 总结与展望 | 第59-61页 |
| ·课题研究总结 | 第59-60页 |
| ·进一步工作展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读硕士期间获得的成果 | 第66页 |