摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第12-35页 |
1.1 新型二维半导体材料研究现状 | 第12-27页 |
1.1.1 石墨烯 | 第13-14页 |
1.1.2 硅烯 | 第14-16页 |
1.1.3 六方氮化硼 | 第16-17页 |
1.1.4 二维过渡金属硫化物 | 第17-23页 |
1.1.5 二维合金 | 第23-27页 |
1.2 本文所研究的低维SnS_2材料介绍 | 第27-34页 |
1.2.1 SnS_2的几何构型和主要制备方法 | 第27-31页 |
1.2.2 二维SnS_2纳米片在光电器件中的应用 | 第31-34页 |
1.3 本论文研究的主要内容 | 第34-35页 |
2 理论基础与计算方法 | 第35-45页 |
2.1 密度泛函理论 | 第35-37页 |
2.1.1 密度泛函理论的基本原理 | 第35-37页 |
2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第37页 |
2.2 交换-关联泛函 | 第37-40页 |
2.3 固体能带的计算方法 | 第40-45页 |
2.3.1 Bloch定理 | 第40页 |
2.3.2 平面波展开方法 | 第40-41页 |
2.3.3 紧束缚近似方法 | 第41-42页 |
2.3.4 正交化平面波法 | 第42-43页 |
2.3.5 赝势方法 | 第43-45页 |
3 SnS_2纳米片的电子结构研究 | 第45-50页 |
3.1 背景介绍 | 第45页 |
3.2 计算方法 | 第45-46页 |
3.3 结果与讨论 | 第46-49页 |
3.3.1 SnS_2体材料的电子结构 | 第46-48页 |
3.3.2 单层和双层SnS_2纳米片的电子结构 | 第48-49页 |
3.4 本章小结 | 第49-50页 |
4 电场对SnS_2纳米片电子结构影响的研究 | 第50-63页 |
4.1 背景介绍 | 第50-51页 |
4.2 计算模型和方法 | 第51页 |
4.3 结果与讨论 | 第51-62页 |
4.4 本章小结 | 第62-63页 |
5 二维SnS_(2-X)Se_X合金的电子结构和光学性质的研究 | 第63-69页 |
5.1 引言 | 第63-64页 |
5.2 计算方法 | 第64页 |
5.3 结果与讨论 | 第64-67页 |
5.3.1 二维SnS_(2-x)Se_x合金的结构参数和稳定性 | 第64-65页 |
5.3.2 二维SnS_(2-x)Se_x合金的电子结构特征 | 第65-66页 |
5.3.3 二维SnS_(2-x)Se_x合金的的光学性质 | 第66-67页 |
5.4 本章小结 | 第67-69页 |
6 总结及展望 | 第69-71页 |
6.1 目前工作的总结 | 第69-70页 |
6.2 未来工作展望 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-81页 |
附录A 单晶硅裂纹尖端结构演化及其对裂纹扩展影响的分子动力学研究 | 第81-103页 |
A.1 背景介绍 | 第81-83页 |
A.2 原子模型细节 | 第83-87页 |
A.2.1 分子动力学和相互作用势 | 第84-85页 |
A.2.2 实验模型 | 第85-86页 |
A.2.3 临界应力强度因子 | 第86-87页 |
A.3 Si(111)[-211]裂纹的分子动力学研究 | 第87-94页 |
A.4 Si(100)[-211]裂纹的分子动力学研究 | 第94-100页 |
A.5 附录A小结 | 第100-101页 |
附录参考文献 | 第101-103页 |
攻读博士期间发表的学术论文与研究成果 | 第103-104页 |
致谢 | 第104页 |