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新型二维材料SnS2电子结构及其性能的调控研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第12-35页
    1.1 新型二维半导体材料研究现状第12-27页
        1.1.1 石墨烯第13-14页
        1.1.2 硅烯第14-16页
        1.1.3 六方氮化硼第16-17页
        1.1.4 二维过渡金属硫化物第17-23页
        1.1.5 二维合金第23-27页
    1.2 本文所研究的低维SnS_2材料介绍第27-34页
        1.2.1 SnS_2的几何构型和主要制备方法第27-31页
        1.2.2 二维SnS_2纳米片在光电器件中的应用第31-34页
    1.3 本论文研究的主要内容第34-35页
2 理论基础与计算方法第35-45页
    2.1 密度泛函理论第35-37页
        2.1.1 密度泛函理论的基本原理第35-37页
        2.1.2 Kohn-Sham方程第37页
    2.2 交换-关联泛函第37-40页
    2.3 固体能带的计算方法第40-45页
        2.3.1 Bloch定理第40页
        2.3.2 平面波展开方法第40-41页
        2.3.3 紧束缚近似方法第41-42页
        2.3.4 正交化平面波法第42-43页
        2.3.5 赝势方法第43-45页
3 SnS_2纳米片的电子结构研究第45-50页
    3.1 背景介绍第45页
    3.2 计算方法第45-46页
    3.3 结果与讨论第46-49页
        3.3.1 SnS_2体材料的电子结构第46-48页
        3.3.2 单层和双层SnS_2纳米片的电子结构第48-49页
    3.4 本章小结第49-50页
4 电场对SnS_2纳米片电子结构影响的研究第50-63页
    4.1 背景介绍第50-51页
    4.2 计算模型和方法第51页
    4.3 结果与讨论第51-62页
    4.4 本章小结第62-63页
5 二维SnS_(2-X)Se_X合金的电子结构和光学性质的研究第63-69页
    5.1 引言第63-64页
    5.2 计算方法第64页
    5.3 结果与讨论第64-67页
        5.3.1 二维SnS_(2-x)Se_x合金的结构参数和稳定性第64-65页
        5.3.2 二维SnS_(2-x)Se_x合金的电子结构特征第65-66页
        5.3.3 二维SnS_(2-x)Se_x合金的的光学性质第66-67页
    5.4 本章小结第67-69页
6 总结及展望第69-71页
    6.1 目前工作的总结第69-70页
    6.2 未来工作展望第70-71页
参考文献第71-81页
附录A 单晶硅裂纹尖端结构演化及其对裂纹扩展影响的分子动力学研究第81-103页
    A.1 背景介绍第81-83页
    A.2 原子模型细节第83-87页
        A.2.1 分子动力学和相互作用势第84-85页
        A.2.2 实验模型第85-86页
        A.2.3 临界应力强度因子第86-87页
    A.3 Si(111)[-211]裂纹的分子动力学研究第87-94页
    A.4 Si(100)[-211]裂纹的分子动力学研究第94-100页
    A.5 附录A小结第100-101页
    附录参考文献第101-103页
攻读博士期间发表的学术论文与研究成果第103-104页
致谢第104页

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