| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 1 引言 | 第13-35页 |
| ·短波红外探测器的研究背景和意义 | 第13-15页 |
| ·InGaAs探测器的研究进展和发展趋势 | 第15-22页 |
| ·研究进展及趋势 | 第15-20页 |
| ·国外研究进展 | 第15-20页 |
| ·国内研究进展 | 第20页 |
| ·关键技术研究 | 第20-22页 |
| ·异质外延工艺 | 第20-21页 |
| ·扩散工艺 | 第21页 |
| ·台面成型工艺 | 第21-22页 |
| ·表面钝化工艺 | 第22页 |
| ·半导体器件的钝化研究 | 第22-32页 |
| ·半导体的表面 | 第22-23页 |
| ·钝化方法 | 第23-28页 |
| ·化学溶剂处理 | 第24页 |
| ·界面控制层 | 第24-25页 |
| ·等离子清洗 | 第25页 |
| ·特殊气体处理 | 第25-26页 |
| ·光照处理 | 第26页 |
| ·退火工艺 | 第26页 |
| ·表面绝缘层薄膜 | 第26-28页 |
| ·表征手段和方法 | 第28-32页 |
| ·C-V测试法 | 第28-30页 |
| ·电导法 | 第30页 |
| ·深能级瞬态谱（DLTS） | 第30页 |
| ·电荷泵送法 | 第30页 |
| ·其他表征方法 | 第30-32页 |
| ·InGaAs半导体器件的钝化研究进展 | 第32-33页 |
| ·本论文的研究目的和主要内容 | 第33-35页 |
| 2 ICPCVD低温钝化膜工艺研究 | 第35-48页 |
| ·前言 | 第35-36页 |
| ·ICPCVD工作原理 | 第36-37页 |
| ·ICPCVD技术生长氮化硅薄膜 | 第37-45页 |
| ·实验 | 第37-39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-41页 |
| ·ICPCVD工艺Si Nx薄膜XPS分析 | 第41-45页 |
| ·XPS的原理 | 第41-42页 |
| ·XPS分析结果 | 第42-45页 |
| ·ICPCVD技术生长二氧化硅薄膜 | 第45-47页 |
| ·实验 | 第45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 3 延伸波长InGaAs外延材料与钝化薄膜的表面与界面特性研究 | 第48-64页 |
| ·前言 | 第48页 |
| ·MIS器件原理 | 第48-54页 |
| ·MIS结构器件表面电场效应 | 第49-51页 |
| ·MIS结构的电容－电压特性 | 第51-52页 |
| ·MIS器件界面态的计算 | 第52-54页 |
| ·高低频电容法 | 第53页 |
| ·高频电容法（Terman法） | 第53页 |
| ·电导法 | 第53-54页 |
| ·MIS器件设计与工艺 | 第54-56页 |
| ·MIS器件性能分析 | 第56-63页 |
| ·ICPCVDSiN_x薄膜与延伸波长InGaAs外延材料界面特性 | 第57-60页 |
| ·PECVDSiN_x薄膜与延伸波长InGaAs外延材料界面特性 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 4 基于ICPCVD钝化工艺的深台面InGaAs探测器研究 | 第64-76页 |
| ·前言 | 第64-65页 |
| ·台面型n on p结构 2.4μm InGaAs探测器 | 第65-70页 |
| ·器件制备 | 第65-66页 |
| ·I-V特性分析 | 第66-69页 |
| ·器件响应光谱 | 第69-70页 |
| ·台面型n on p结构 2.6μm InGaAs探测器 | 第70-75页 |
| ·器件制备 | 第70-71页 |
| ·I-V特性分析 | 第71-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 5 ICPCVD钝化工艺优化与器件验证 | 第76-93页 |
| ·前言 | 第76-77页 |
| ·SiN_x薄膜工艺优化实验 | 第77-81页 |
| ·界面特性研究 | 第81-88页 |
| ·器件验证 | 第88-91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 6 全文总结与展望 | 第93-96页 |
| ·全文总结 | 第93-95页 |
| ·展望 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-102页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第102-103页 |
