| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-14页 |
| 符号对照表 | 第14-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-36页 |
| ·N面GaN材料及器件的研究意义 | 第20-25页 |
| ·N面GaN材料的特性 | 第20-21页 |
| ·N面GaN基HEMT器件的优势 | 第21-25页 |
| ·N面GaN材料与器件的研究发展现状 | 第25-31页 |
| ·N面GaN材料 | 第25-26页 |
| ·N面LED | 第26-27页 |
| ·N面传感器 | 第27-28页 |
| ·N面HEMT | 第28-31页 |
| ·N面GaN材料及器件存在的问题 | 第31-32页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第32-36页 |
| 第二章 GaN基材料的外延生长及表征 | 第36-42页 |
| ·GaN基材料的MOCVD外延生长 | 第36-39页 |
| ·MOCVD方法的生长机理 | 第36-38页 |
| ·MOCVD设备 | 第38-39页 |
| ·GaN基材料的表征 | 第39-42页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第39-41页 |
| ·二次离子质谱(SIMS) | 第41-42页 |
| 第三章 蓝宝石衬底上的N面GaN材料的生长及表征 | 第42-60页 |
| ·常规Ga面GaN材料的MOCVD法的生长及表征 | 第42-48页 |
| ·基于HT-AlN成核层的Ga面GaN材料的生长及表征 | 第42-44页 |
| ·基于LT+HT-AlN成核层的Ga面GaN材料的生长及表征 | 第44-48页 |
| ·N面GaN材料的生长及表征 | 第48-58页 |
| ·N面GaN材料的生长方法 | 第48-49页 |
| ·N面GaN材料的表征分析 | 第49-55页 |
| ·N面GaN材料的极性验证 | 第55-57页 |
| ·N面GaN材料的MOCVD生长机理讨论 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 斜切蓝宝石衬底对N面GaN材料性能的影响 | 第60-74页 |
| ·实验方案设计 | 第60-62页 |
| ·实验测试结果 | 第62-67页 |
| ·SEM测试结果 | 第62页 |
| ·TEM测试结果 | 第62-64页 |
| ·CL测试结果 | 第64-66页 |
| ·Hall测试结果 | 第66页 |
| ·PL测试结果 | 第66-67页 |
| ·实验结果分析 | 第67-71页 |
| ·表面形貌的差异 | 第67-68页 |
| ·层错出现的原因 | 第68-69页 |
| ·光学特性的差异 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-74页 |
| 第五章 SiC衬底上N面GaN材料的制备 | 第74-86页 |
| ·SiC衬底的极性及对GaN材料极性的影响 | 第74-76页 |
| ·SiC衬底的极性 | 第74-75页 |
| ·SiC衬底的极性对GaN材料的影响 | 第75-76页 |
| ·SiC衬底上N面GaN材料的生长 | 第76-77页 |
| ·SiC衬底上N面GaN材料的表征分析 | 第77-83页 |
| ·AFM测试结果 | 第78-79页 |
| ·XRD测试结果 | 第79页 |
| ·电学特性测试结果 | 第79-80页 |
| ·SIMS测试结果 | 第80-81页 |
| ·光学特性测试结果 | 第81-82页 |
| ·腐蚀法验证样品极性 | 第82-83页 |
| ·机理讨论 | 第83页 |
| ·本章小结 | 第83-86页 |
| 第六章 N面GaN材料中的O杂质 | 第86-106页 |
| ·N面GaN材料中O杂质的实验研究 | 第86-92页 |
| ·实验方案设计 | 第86-87页 |
| ·实验测试结果及分析 | 第87-92页 |
| ·N面GaN材料中O杂质的理论分析 | 第92-104页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第92-94页 |
| ·VASP软件 | 第94-95页 |
| ·理论计算的条件设置 | 第95-97页 |
| ·理论计算的结果 | 第97-103页 |
| ·理论及实验的结果讨论 | 第103-104页 |
| ·本章小结 | 第104-106页 |
| 第七章 结束语 | 第106-110页 |
| ·本文的主要结论 | 第106-107页 |
| ·未来的工作 | 第107-110页 |
| 参考文献 | 第110-120页 |
| 致谢 | 第120-122页 |
| 作者简介 | 第122-123页 |