| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-45页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 纳米晶的基本性质 | 第10-15页 |
| 1.2.1 量子限域效应 | 第10-12页 |
| 1.2.2 表面工程 | 第12-15页 |
| 1.3 纳米晶在太阳能电池中的应用 | 第15-28页 |
| 1.3.1 纯纳米晶太阳能电池 | 第15-24页 |
| 1.3.2 纳米晶/聚合物杂化太阳能电池 | 第24-28页 |
| 1.4 自掺杂Cu_(2-x)X (X=S,Se,Te)纳米晶的局域表面等离子体共振(LSPR)性质简介 | 第28-33页 |
| 1.4.1 自掺杂Cu_(2-x)X纳米晶LSPR的调控 | 第29-31页 |
| 1.4.2 形貌对自掺杂Cu_(2-x)X纳米晶LSPR的影响 | 第31-32页 |
| 1.4.3 自掺杂Cu_(2-x)X纳米晶的相关应用 | 第32-33页 |
| 1.5 本论文选题依据和研究内容 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-45页 |
| 第二章 CsPbBr_3纳米晶分解合成均匀Cs_4PbBr_6纳米晶及机理研究 | 第45-68页 |
| 2.1 引言 | 第45-46页 |
| 2.2 实验部分 | 第46-47页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第46页 |
| 2.2.2 实验步骤 | 第46-47页 |
| 2.2.3 仪器表征 | 第47页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第47-64页 |
| 2.3.1 CsPbBr_3纳米晶的合成及表征 | 第47-49页 |
| 2.3.2 通过CsPb Br_3纳米晶分解合成均匀Cs_4PbBr_6纳米晶 | 第49-54页 |
| 2.3.3 CsPbBr_3纳米晶转化成Cs_4PbBr_6纳米晶的机理探讨 | 第54-58页 |
| 2.3.4 CsPbBr_3纳米晶转化成Cs_4PbBr_6纳米晶的动力学研究 | 第58-64页 |
| 2.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 第三章 PbS_xSe_(1-x)纳米晶的合成及其在聚合物/纳米晶杂化太阳能电池中的应用 | 第68-90页 |
| 3.1 引言 | 第68-69页 |
| 3.2 实验部分 | 第69-71页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第69-70页 |
| 3.2.2 实验步骤 | 第70-71页 |
| 3.2.3 仪器表征 | 第71页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第71-85页 |
| 3.3.1 PbS_xSe_(1-x)纳米晶的合成及表征 | 第71-73页 |
| 3.3.2 杂化太阳能电池的制备 | 第73-75页 |
| 3.3.3 PbS_xSe_(1-x)纳米晶组分对杂化器件性能影响 | 第75-78页 |
| 3.3.4 PDTPBT/PbS_(0.4)Se_(0.6)共混比例对杂化器件性能影响 | 第78-85页 |
| 3.4 本章小结 | 第85页 |
| 参考文献 | 第85-90页 |
| 第四章 Cu_(3-x)P纳米晶的合成及其在脉冲激光器中的应用 | 第90-113页 |
| 4.1 引言 | 第90页 |
| 4.2 实验部分 | 第90-92页 |
| 4.2.1 实验试剂 | 第90-91页 |
| 4.2.2 实验步骤 | 第91页 |
| 4.2.3 仪器表征 | 第91-92页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第92-110页 |
| 4.3.1 Cu_(3-x)P纳米晶的合成 | 第92-94页 |
| 4.3.2 表面活性剂浓度对Cu_(3-x)P纳米晶LSPR吸收的影响 | 第94-96页 |
| 4.3.3 反应温度对Cu_(3-x)P纳米晶LSPR吸收的影响 | 第96-98页 |
| 4.3.4 热退火导致Cu_(3-x)P纳米晶LSPR吸收增强机理分析 | 第98-102页 |
| 4.3.5 Cu_(3-x)P纳米晶激子动力学性能研究 | 第102-103页 |
| 4.3.6 基于Cu_(3-x)P纳米晶的调Q激光器的制备及性能分析 | 第103-110页 |
| 4.4 本章小结 | 第110页 |
| 参考文献 | 第110-113页 |
| 第五章 论文总结与展望 | 第113-116页 |
| 5.1 论文总结 | 第113页 |
| 5.2 论文的创新点及有待进一步提高之处 | 第113-114页 |
| 5.3 研究展望 | 第114-116页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第116-118页 |
| 一、已经发表的论文 | 第116-117页 |
| 二、待发表第一作者论文 | 第117页 |
| 三、研究专利 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118-120页 |
