| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-12页 |
| 1.2 TSV技术发展现状 | 第12-16页 |
| 1.3 半导体清洗工艺综述 | 第16-22页 |
| 1.3.1 湿法清洗工艺 | 第17-20页 |
| 1.3.2 干法清洗工艺研究进展 | 第20-22页 |
| 1.4 本课题主要研究内容 | 第22-25页 |
| 第二章 TSV刻蚀工艺及清洗工艺介绍 | 第25-35页 |
| 2.1 TSV刻蚀工艺介绍 | 第25-29页 |
| 2.2 TSV绝缘结构介绍 | 第29-34页 |
| 2.2.1 TSV绝缘层工艺介绍 | 第29-32页 |
| 2.2.2 TSV绝缘层可靠性对TSV清洗工艺的要求 | 第32-34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 TSV沾污特点及清洗工艺研究 | 第35-49页 |
| 3.1 清洗样品的制备及沾污情况分析 | 第35-39页 |
| 3.1.1 TSV清洗样品制备 | 第36-38页 |
| 3.1.2 TSV刻蚀后沾污分析 | 第38-39页 |
| 3.2 TSV清洗模式的选择 | 第39-43页 |
| 3.2.1 干法模式对TSV清洗的可行性分析 | 第40-41页 |
| 3.2.2 湿法模式对TSV清洗可行性讨论 | 第41-43页 |
| 3.3 TSV清洗工艺实验方案 | 第43-47页 |
| 3.3.1 兆声波清洗技术原理 | 第43-46页 |
| 3.3.2 清洗药液的选择及工艺原理 | 第46页 |
| 3.3.3 TSV清洗工艺方案设计 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 TSV清洗工艺的验证与分析 | 第49-59页 |
| 4.1 清洗前晶圆状态检查 | 第49-50页 |
| 4.2 清洗工艺方案验证 | 第50-57页 |
| 4.2.1 TSV口部清洗验证 | 第51-53页 |
| 4.2.2 TSV中部清洗验证 | 第53-54页 |
| 4.2.3 TSV底部清洗验证 | 第54-56页 |
| 4.2.4 TSV晶圆表面清洗验证 | 第56-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 结论及展望 | 第59-61页 |
| 5.1 研究内容总结 | 第59-60页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 在学期间发表的论文与专利 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67页 |