静电场辅助的压印光刻技术及其应用研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 微加工技术 | 第13-16页 |
| 1.2 纳米压印技术 | 第16-22页 |
| 1.2.1 纳米压印的提出 | 第16-17页 |
| 1.2.2 原理及工艺方法 | 第17-19页 |
| 1.2.3 纳米压印技术的发展及应用 | 第19-22页 |
| 1.3 静电场辅助的图案化技术 | 第22-27页 |
| 1.3.1 静电场辅助的图案化技术的提出 | 第22-23页 |
| 1.3.2 静电场辅助的图案化技术的发展 | 第23-27页 |
| 1.4 论文的主要工作 | 第27-29页 |
| 第2章 静电场辅助的微压印理论研究 | 第29-63页 |
| 2.1 静电场诱导的理论基础 | 第29-37页 |
| 2.1.1 聚合物稳定性分析 | 第29-30页 |
| 2.1.2 聚合物薄膜界面流体动力学分析 | 第30-36页 |
| 2.1.3 特征波长 | 第36-37页 |
| 2.2 静电场辅助压印制备微结构演化过程研究 | 第37-61页 |
| 2.2.1 多物理场模型的建立 | 第38-44页 |
| 2.2.2 影响微结构成形的实验参数仿真分析 | 第44-50页 |
| 2.2.3 不同导电模板对工艺过程的影响 | 第50-58页 |
| 2.2.4 多级中空微结构的仿真 | 第58-61页 |
| 2.3 本章小结 | 第61-63页 |
| 第3章 静电场辅助压印实验参数研究 | 第63-79页 |
| 3.1 环境参数的实验研究 | 第63-68页 |
| 3.1.1 极板间距及平行度控制 | 第64-65页 |
| 3.1.2 初始薄膜厚度影响 | 第65-66页 |
| 3.1.3 工作电压及温度影响 | 第66-67页 |
| 3.1.4 实验时间及模板分离 | 第67-68页 |
| 3.2 图案化导电模板参数研究 | 第68-78页 |
| 3.2.1 镀膜基片准备 | 第69-70页 |
| 3.2.2 光刻过程参数研究 | 第70-76页 |
| 3.2.3 电镀工艺参数研究 | 第76-78页 |
| 3.3 本章小结 | 第78-79页 |
| 第4章 薄膜光子筛的工艺实现 | 第79-107页 |
| 4.1 衍射元件的背景及发展 | 第79-82页 |
| 4.2 光子筛的设计 | 第82-86页 |
| 4.2.1 设计理论 | 第82-84页 |
| 4.2.2 设计方案 | 第84-86页 |
| 4.3 薄膜光子筛的制备 | 第86-98页 |
| 4.3.1 激光直写制备掩膜版 | 第86-91页 |
| 4.3.2 薄膜的制备与机械固定 | 第91-95页 |
| 4.3.3 光子筛的微细加工制作 | 第95-97页 |
| 4.3.4 工艺难点分析 | 第97-98页 |
| 4.4 薄膜光子筛的成像检测 | 第98-105页 |
| 4.4.1 衍射效率 | 第99-100页 |
| 4.4.2 星点检测 | 第100-102页 |
| 4.4.3 分辨率检测 | 第102-105页 |
| 4.5 本章小结 | 第105-107页 |
| 第5章 静电场辅助压印的模板复制实验 | 第107-119页 |
| 5.1 平面栅线结构的复制 | 第107-115页 |
| 5.1.1 栅线微结构成形理论基础 | 第107-109页 |
| 5.1.2 栅线结构成形实验参数的探究 | 第109-113页 |
| 5.1.3 实验讨论 | 第113-115页 |
| 5.2 其它结构模板的复制 | 第115-118页 |
| 5.3 本章小结 | 第118-119页 |
| 第6章 总结与展望 | 第119-123页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第119-120页 |
| 6.2 论文主要创新点 | 第120页 |
| 6.3 未来工作展望 | 第120-123页 |
| 参考文献 | 第123-135页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第135-137页 |
| 指导教师及作者简介 | 第137-139页 |
| 致谢 | 第139页 |
