| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-36页 |
| 1.1 激光辐照下半导体中的杂质动力学研究意义 | 第12-14页 |
| 1.2 激光辐照下杂质和缺陷行为研究 | 第14-29页 |
| 1.2.1 杂质和缺陷 | 第14-16页 |
| 1.2.2 杂质缺陷与激光的相互作用 | 第16-22页 |
| 1.2.3 激光辐照下杂质和缺陷的扩散模式 | 第22-28页 |
| 1.2.3.1 杂质和缺陷动力学计算方法 | 第22-25页 |
| 1.2.3.2 缺陷反应的扩散模型 | 第25-28页 |
| 1.2.4 小结 | 第28-29页 |
| 1.3 论文研究内容 | 第29页 |
| 1.4 论文结构和研究思路 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-36页 |
| 第二章 激光辐照下的杂质分布演化动力学模型 | 第36-76页 |
| 2.1 基于密度泛函的第一性原理 | 第37-38页 |
| 2.2 掺杂单晶硅吸收特性模型构建 | 第38-46页 |
| 2.2.1 单晶Si模型构建 | 第38-39页 |
| 2.2.2 替代式P掺杂的单晶Si模型构建 | 第39-41页 |
| 2.2.3 存在Si间隙原子的P掺杂Si单晶模型构建 | 第41-42页 |
| 2.2.4 计算结果及分析 | 第42-46页 |
| 2.3 激光辐照下杂质动力学特性的第一性原理计算 | 第46-70页 |
| 2.3.1 吸收截面计算 | 第46-51页 |
| 2.3.2 跃迁过渡态计算 | 第51-70页 |
| 2.4 激光辐照下杂质迁移运动的Monte-Carlo模拟 | 第70-73页 |
| 2.4.1 相关参数的输入界面 | 第72页 |
| 2.4.2 模拟程序的初始化 | 第72-73页 |
| 2.4.3 扩散过程的模拟 | 第73页 |
| 2.4.4 模拟结果的呈现 | 第73页 |
| 2.5 小结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-76页 |
| 第三章 激光辐照下杂质分布演化动力学过程分析 | 第76-110页 |
| 3.1 计算模型 | 第76-77页 |
| 3.2 材料初始缺陷状态对激光辐照下杂质分布演化的影响 | 第77-84页 |
| 3.2.1 空位浓度对杂质迁移的影响 | 第77-83页 |
| 3.2.2 杂质原子浓度随时间变化情况与空位浓度关系 | 第83-84页 |
| 3.3 激光辐照参数对杂质分布演化的影响 | 第84-97页 |
| 3.3.1 脉冲宽度的影响 | 第84-88页 |
| 3.3.2 激光辐照功率密度的影响 | 第88-97页 |
| 3.4 耗散因素对杂质迁移行为的影响分析 | 第97-100页 |
| 3.5 激光辐照下杂质分布构型的演化特性 | 第100-106页 |
| 3.6 小结 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-110页 |
| 第四章 局域杂质分布构型对激光与半导体材料相互作用的影响 | 第110-130页 |
| 4.1 计算模型 | 第110-112页 |
| 4.2 不同波长激光辐照下杂质分布构型对光场的影响 | 第112-116页 |
| 4.3 杂质诱导吸收增强的实验验证 | 第116-118页 |
| 4.4 多个杂质局域分布构型对光场的影响 | 第118-126页 |
| 4.4.1 物理模型 | 第118-119页 |
| 4.4.2 杂质球体介电常数的影响 | 第119-120页 |
| 4.4.3 两个杂质球体的影响 | 第120-123页 |
| 4.4.4 多个杂质球体的影响 | 第123-126页 |
| 4.5 小结 | 第126-128页 |
| 参考文献 | 第128-130页 |
| 第五章 激光辐照下微观杂质缺陷对半导体宏观性能的影响 | 第130-142页 |
| 5.1 实验设计 | 第130-132页 |
| 5.2 实验结果与分析 | 第132-138页 |
| 5.3 杂质缺陷对单晶硅PN结性能影响的仿真模拟 | 第138-139页 |
| 5.4 小结 | 第139-141页 |
| 参考文献 | 第141-142页 |
| 第六章 论文的主要结论及展望 | 第142-145页 |
| 6.1 主要结论 | 第142-143页 |
| 6.2 本论文工作的意义与展望 | 第143-145页 |
| 致谢 | 第145-146页 |
| 附录 博士论文工作期间第一作者发表或已录用的论文 | 第146页 |
