| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-14页 |
| 第一章 前言 | 第14-42页 |
| ·宽带隙半导体绪论 | 第14-15页 |
| ·如何制备宽带隙材料 | 第15-40页 |
| ·主链非共轭法 | 第15-16页 |
| ·扭曲打断共轭法 | 第16-28页 |
| ·引入杂原子打断共轭法 | 第28-40页 |
| ·本论文的设计思路 | 第40-42页 |
| ·本论文的选题 | 第40-41页 |
| ·本论文的设计思路 | 第41页 |
| ·本论文的结构 | 第41-42页 |
| 第二章 基于四苯基硅烷，芴，二苯基醚为中心宽禁带材料的性质研究 | 第42-62页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·分子的合成与结构表征 | 第43-47页 |
| ·化合物基本性质比较 | 第47-55页 |
| ·热学性质比较 | 第47-48页 |
| ·光物理性质比较与自然跃迁轨道(natural transition orbital NTO) | 第48-52页 |
| ·电化学性质比较与前线轨道分布 | 第52-55页 |
| ·化合物的电致发光性能比较 | 第55-59页 |
| ·蓝色发光器件性能比较 | 第55-57页 |
| ·绿色发光器件性能的比较 | 第57-59页 |
| ·性质比较总结 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第三章 基于咔唑、二苯基磷酰基的四苯基硅宽禁带材料的合成与性质研究 | 第62-80页 |
| ·前言 | 第62-64页 |
| ·分子的合成与结构表征 | 第64-69页 |
| ·分子的基本性质表征 | 第69-74页 |
| ·热学性质表征 | 第69页 |
| ·光物理性质表征 | 第69-71页 |
| ·电化学性质表征 | 第71-72页 |
| ·理论模拟结果 | 第72-74页 |
| ·电致发光性质表征 | 第74-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第四章 基于菲并咪唑的四苯基硅宽禁带材料的合成与性质研究 | 第80-96页 |
| ·前言 | 第80-82页 |
| ·分子的合成与性质表征 | 第82-86页 |
| ·基本性质表征 | 第86-91页 |
| ·热学性质表征 | 第86页 |
| ·光物理性质表征 | 第86-88页 |
| ·电化学性质表征 | 第88-89页 |
| ·理论模拟 | 第89-91页 |
| ·电学致发光性能的研究 | 第91-94页 |
| ·单载流子器件性能 | 第91-92页 |
| ·电致发光性能 | 第92-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 第五章 基于双重四苯基硅烷中心可溶液加工分子的合成与性质表征 | 第96-108页 |
| ·前言 | 第96-97页 |
| ·分子合成与结构表征 | 第97-99页 |
| ·分子基本性质表征 | 第99-105页 |
| ·分子的热学与形貌学性能比较 | 第99-101页 |
| ·分子光物理性质比对 | 第101-103页 |
| ·电化学性质比较 | 第103-104页 |
| ·理论模拟性质 | 第104-105页 |
| ·电致发光性能比较 | 第105-107页 |
| ·本章小结 | 第107-108页 |
| 第六章 实验试剂和测试仪器 | 第108-112页 |
| ·实验试剂和药品 | 第108页 |
| ·实验仪器及测试方法 | 第108-112页 |
| 参考文献 | 第112-128页 |
| 作者简历及成果 | 第128-130页 |
| 致谢 | 第130-131页 |
