直拉单晶硅内吸杂研究
| 第一章 文献综述 | 第1-35页 |
| 1．1 引言 | 第9-10页 |
| 1．2 硅中金属的性质 | 第10-16页 |
| 1．2．1 集成电路金属杂质的来源 | 第10-11页 |
| 1．2．2 金属原子的扩散系数 | 第11页 |
| 1．2．3 金属原子的溶解度 | 第11-13页 |
| 1．2．4 金属沉淀的性能 | 第13-14页 |
| 1．2．5 自间隙金属原子的性能 | 第14页 |
| 1．2．6 过渡金属原子的检测 | 第14-16页 |
| 1．3 吸杂 | 第16-19页 |
| 1．3．1 吸杂的发展历史 | 第16-17页 |
| 1．3．2 吸杂的分类 | 第17-18页 |
| 1．3．3 外吸杂 | 第18-19页 |
| 1．3．4 内吸杂与外吸杂的比较 | 第19页 |
| 1．4 内吸杂 | 第19-28页 |
| 1．4．1 内吸杂的方法 | 第19-21页 |
| 1．4．2 氧 | 第21-26页 |
| 1．4．3 氮 | 第26-27页 |
| 1．4．4 重掺硅片的内吸杂 | 第27-28页 |
| 1．5 内吸杂的物理机理 | 第28-31页 |
| 1．6 吸杂的未来发展趋势 | 第31页 |
| 1．7 本工作的研究内容 | 第31-35页 |
| 第二章 实验设备及样品准备 | 第35-37页 |
| 2．1 实验设备 | 第35页 |
| 2．1．1 热处理炉 | 第35页 |
| 2．1．2 傅立叶转换红外测试仪 | 第35页 |
| 2．1．3 金相显微镜 | 第35页 |
| 2．2 样品的制备 | 第35-37页 |
| 第三章 氮对内吸杂工艺中氧沉淀形核的影响 | 第37-44页 |
| 3．1 引言 | 第37-38页 |
| 3．2 实验和实验结果 | 第38-41页 |
| 3．3 讨论 | 第41-43页 |
| 3．4 结论 | 第43-44页 |
| 第四章 高压热处理对直拉单晶硅片内吸杂的影响 | 第44-50页 |
| 4．1 引言 | 第44页 |
| 4．2 实验与结果 | 第44-47页 |
| 4．3 讨论 | 第47-48页 |
| 4．4 结论 | 第48-50页 |
| 第五章 直拉单晶硅片内吸杂中氮对洁净区的影响 | 第50-56页 |
| 5．1 引言 | 第50页 |
| 5．2 实验 | 第50-51页 |
| 5．3 实验结果 | 第51-53页 |
| 5．4 讨论 | 第53-54页 |
| 5．5 结论 | 第54-56页 |
| 第六章 大直径直拉单晶硅的内吸杂 | 第56-61页 |
| 6．1 引言 | 第56页 |
| 6．2 实验 | 第56-57页 |
| 6．3 实验结果 | 第57-58页 |
| 6．4 讨论 | 第58-60页 |
| 6．5 结论 | 第60-61页 |
| 第七章 重掺硅单晶的内吸杂 | 第61-73页 |
| 7．1 引言 | 第61-62页 |
| 7．2 实验一 | 第62-66页 |
| 7．2．1 实验 | 第62-63页 |
| 7．2．2 实验结果 | 第63-66页 |
| 7．2．3 结论 | 第66页 |
| 7．3 实验二 | 第66-73页 |
| 7．3．1 实验 | 第66-67页 |
| 7．3．2 实验结果 | 第67-71页 |
| 7．3．3 结论 | 第71-73页 |
| 第八章 氮在升降温过程中对氧沉淀形核的影响 | 第73-77页 |
| 8．1 引言 | 第73页 |
| 8．2 降温实验 | 第73-75页 |
| 8．3 升温实验 | 第75-76页 |
| 8．4 结论 | 第76-77页 |
| 结论 | 第77-79页 |
