微氮直拉硅单晶的机械性能研究
英文摘要 | 第1-7页 |
中文摘要 | 第7-8页 |
第一章 文献综述 | 第8-28页 |
1.1 单晶硅材料脆性断裂 | 第9-14页 |
1.1.1 单晶硅的结构特性和解理面 | 第9页 |
1.1.2 单晶硅脆性断裂的理论研究 | 第9-10页 |
1.1.3 硅的断裂机制与裂纹研究 | 第10-12页 |
1.1.4 常温下硅单晶的脆性断裂 | 第12-14页 |
1.2 单晶硅的脆塑转变 | 第14-22页 |
1.2.1 应变率因素 | 第15-16页 |
1.2.2 掺杂因素 | 第16-17页 |
1.2.3 位错滑移系 | 第17-18页 |
1.2.4 裂纹尖端位错研究 | 第18-20页 |
1.2.5 硅单晶的塑性变形 | 第20页 |
1.2.6 BDT模型 | 第20-22页 |
1.3 硅片的翘曲 | 第22-27页 |
1.3.1 硅片翘曲的研究方法 | 第22-23页 |
1.3.2 影响硅片翘曲的因素 | 第23-25页 |
1.3.3 硅片上瞬间温度和热应力模型 | 第25-27页 |
1.4 小结 | 第27-28页 |
第二章 硅材料的脆性断裂 | 第28-43页 |
2.1 样品准备及实验过程 | 第28-29页 |
2.2 硅单晶断裂强度分析 | 第29-35页 |
2.2.1 氮杂质及氧沉淀对断裂强度的影响 | 第29-33页 |
2.2.2 晶向对断裂强度的影响 | 第33-34页 |
2.2.3 位错对断裂强度的影响 | 第34页 |
2.2.4 离散性分析 | 第34-35页 |
2.3 裂纹及断口分析 | 第35-38页 |
2.3.1 脆性断裂裂纹分析 | 第35-36页 |
2.3.2 断口形貌分析 | 第36-37页 |
2.3.3 断裂路径及模型 | 第37-38页 |
2.4 应力-应变曲线 | 第38-41页 |
2.5 小结 | 第41-43页 |
第三章 硅材料的脆塑转变(BDT) | 第43-54页 |
3.1 样品制备与实验过程 | 第43-45页 |
3.2 硅单晶的脆塑转变分析 | 第45-48页 |
3.2.1 脆塑转变曲线 | 第45-47页 |
3.2.2 氮杂质对脆塑转变温度的影响 | 第47-48页 |
3.3 断口形貌及裂纹分析 | 第48-51页 |
3.3.1 塑性变形和位错 | 第48-50页 |
3.3.2 高温下的脆性断口 | 第50-51页 |
3.4 应力-应变曲线 | 第51-53页 |
3.5 小结 | 第53-54页 |
第四章 硅片热翘曲研究 | 第54-63页 |
4.1 实验样品及实验过程 | 第54-55页 |
4.2 氧沉淀变化及翘曲度分析 | 第55-57页 |
4.3 热翘曲过程中的氧沉淀及位错 | 第57-62页 |
4.3.1 氧沉淀观察 | 第57-59页 |
4.3.2 位错观察 | 第59-61页 |
4.3.3 氧沉淀、位错及翘曲关系 | 第61-62页 |
4.4 小结 | 第62-63页 |
第五章 硅片翘曲中应力研究 | 第63-68页 |
5.1 硅片中应力分布 | 第63-66页 |
5.2 应力与位错关系 | 第66-67页 |
5.3 小结 | 第67-68页 |
第六章 结论 | 第68-69页 |
参考文献 | 第69-71页 |
附录 | 第71-72页 |
致谢 | 第72页 |