首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--元素半导体论文

微氮直拉硅单晶的机械性能研究

英文摘要第1-7页
中文摘要第7-8页
第一章 文献综述第8-28页
 1.1 单晶硅材料脆性断裂第9-14页
  1.1.1 单晶硅的结构特性和解理面第9页
  1.1.2 单晶硅脆性断裂的理论研究第9-10页
  1.1.3 硅的断裂机制与裂纹研究第10-12页
  1.1.4 常温下硅单晶的脆性断裂第12-14页
 1.2 单晶硅的脆塑转变第14-22页
  1.2.1 应变率因素第15-16页
  1.2.2 掺杂因素第16-17页
  1.2.3 位错滑移系第17-18页
  1.2.4 裂纹尖端位错研究第18-20页
  1.2.5 硅单晶的塑性变形第20页
  1.2.6 BDT模型第20-22页
 1.3 硅片的翘曲第22-27页
  1.3.1 硅片翘曲的研究方法第22-23页
  1.3.2 影响硅片翘曲的因素第23-25页
  1.3.3 硅片上瞬间温度和热应力模型第25-27页
 1.4 小结第27-28页
第二章 硅材料的脆性断裂第28-43页
 2.1 样品准备及实验过程第28-29页
 2.2 硅单晶断裂强度分析第29-35页
  2.2.1 氮杂质及氧沉淀对断裂强度的影响第29-33页
  2.2.2 晶向对断裂强度的影响第33-34页
  2.2.3 位错对断裂强度的影响第34页
  2.2.4 离散性分析第34-35页
 2.3 裂纹及断口分析第35-38页
  2.3.1 脆性断裂裂纹分析第35-36页
  2.3.2 断口形貌分析第36-37页
  2.3.3 断裂路径及模型第37-38页
 2.4 应力-应变曲线第38-41页
 2.5 小结第41-43页
第三章 硅材料的脆塑转变(BDT)第43-54页
 3.1 样品制备与实验过程第43-45页
 3.2 硅单晶的脆塑转变分析第45-48页
  3.2.1 脆塑转变曲线第45-47页
  3.2.2 氮杂质对脆塑转变温度的影响第47-48页
 3.3 断口形貌及裂纹分析第48-51页
  3.3.1 塑性变形和位错第48-50页
  3.3.2 高温下的脆性断口第50-51页
 3.4 应力-应变曲线第51-53页
 3.5 小结第53-54页
第四章 硅片热翘曲研究第54-63页
 4.1 实验样品及实验过程第54-55页
 4.2 氧沉淀变化及翘曲度分析第55-57页
 4.3 热翘曲过程中的氧沉淀及位错第57-62页
  4.3.1 氧沉淀观察第57-59页
  4.3.2 位错观察第59-61页
  4.3.3 氧沉淀、位错及翘曲关系第61-62页
 4.4 小结第62-63页
第五章 硅片翘曲中应力研究第63-68页
 5.1 硅片中应力分布第63-66页
 5.2 应力与位错关系第66-67页
 5.3 小结第67-68页
第六章 结论第68-69页
参考文献第69-71页
附录第71-72页
致谢第72页

论文共72页,点击 下载论文
上一篇:薄硅外延片的生长及高频肖特基二极管的研制
下一篇:直拉单晶硅内吸杂研究