| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| ·硅化物薄膜在集成电路中的潜在应用 | 第14-17页 |
| ·硅化物纳米结构的潜在应用 | 第17-18页 |
| ·硅化物及其纳米结构的研究现状 | 第18-22页 |
| ·硅化物的外延生长 | 第22-23页 |
| ·锰硅化物的外延生长 | 第23-25页 |
| ·论文的主要研究内容及创新点 | 第25-26页 |
| 第二章 实验方法 | 第26-59页 |
| ·扫描隧道显微镜（STM） | 第26-32页 |
| ·电子的一维方势垒隧穿和针尖样品间的隧穿[54] | 第26-28页 |
| ·工作模式[55] | 第28-29页 |
| ·扫描探针的制备[56] | 第29-32页 |
| ·超高真空扫描隧道显微镜分子束外延系统（UHV-STM-MBE） | 第32-39页 |
| ·超高真空系统 | 第32-34页 |
| ·STM扫描反馈及分析系统[54] | 第34-36页 |
| ·分子束外延生长 | 第36-37页 |
| ·扫描隧道谱[54]（STS） | 第37-39页 |
| ·STM统计方法 | 第39页 |
| ·透射电子显微镜[57-59] | 第39-42页 |
| ·透射电子显微镜中电子与样品的相互作用 | 第39-40页 |
| ·分析电子显微镜的基本结构和工作原理 | 第40-42页 |
| ·透射电子显微镜样品的制备 | 第42页 |
| ·Si(111)-7×7表面与Si(100)-2×1表面 | 第42-51页 |
| ·表面重构及其标记[60] | 第42-44页 |
| ·Si(111)-7×7重构表面的结构 | 第44-48页 |
| ·Si(111)-7×7重构表面的制备 | 第48-49页 |
| ·Si(100)-2×1重构表面的结构 | 第49-50页 |
| ·Si(100)-2×1重构表面的制备 | 第50-51页 |
| ·薄膜生长的理论基础[60,66-68] | 第51-59页 |
| 第三章 锰的硅化物纳米结构在Si(111)-7×7表面的反应外延生长 | 第59-84页 |
| ·引言 | 第59-61页 |
| ·实验方法 | 第61-62页 |
| ·实验结果及讨论 | 第62-83页 |
| ·锰和锰的硅化物纳米结构在Si(111)-7×7表面的反应外延生长规律 | 第62-67页 |
| ·锰的硅化物纳米线（MnSi_(1.7)）在Si(111)-7×7表面的可控制备 | 第67-83页 |
| ·小结 | 第83-84页 |
| 第四章 锰的硅化物纳米结构在Si(111)-7×7表面的固相外延生长 | 第84-99页 |
| ·引言 | 第84-85页 |
| ·实验方法 | 第85-86页 |
| ·实验结果及讨论 | 第86-98页 |
| ·锰在室温下的沉积生长情况 | 第86-88页 |
| ·锰的硅化物纳米结构在Si(111)表面的固相外延生长 | 第88-98页 |
| ·小结 | 第98-99页 |
| 第五章 MnSi薄膜在Si(111)-7×7表面的可控制备 | 第99-121页 |
| ·引言 | 第99-100页 |
| ·实验方法 | 第100-101页 |
| ·实验结果及讨论 | 第101-120页 |
| ·小结 | 第120-121页 |
| 第六章 锰的硅化物在Si(100)-2×1表面的外延生长 | 第121-136页 |
| ·引言 | 第121-122页 |
| ·实验方法 | 第122页 |
| ·实验结果及讨论 | 第122-135页 |
| ·锰的硅化物纳米结构在Si(100)-2×1表面的反应外延生长 | 第122-127页 |
| ·锰的硅化物纳米结构在Si(100)-2×1表面的固相外延生长 | 第127-135页 |
| ·小结 | 第135-136页 |
| 第七章 总结与展望 | 第136-139页 |
| 参考文献 | 第139-145页 |
| 致谢 | 第145-146页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第146页 |
