当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
场效应器件
有机场效应晶体管存储器的性能及表征方法研究
射频LDMOS新结构的特性与工艺研究
纳米MOS器件含时输运特性的研究
有机场效应晶体管（OFETs）器件的制备及特性研究
基于介电润湿效应的液体场效应管的研制
硼掺杂的纳米管MOSFET的光电输运特性研究
新型功率SOI横向器件研究
高压低功耗LDMOS研究
基于CMOS与DSP的以太网智能相机平台
高压AlGaN/GaN HEMTs的新结构与场优化技术
具有过流过温保护功能的DMOS设计
以太网黑白线阵CCD工业相机研究与开发
基于CCD的超快光电探测方法研究
SOI LDMOS相阵控CCD阵列研究
SOI横向高压低通态电阻MOS型器件研究
SOI LIGBT的优化设计方法研究
月球探测TDI-CCD相机定标技术
基于FPGA的面阵CCD成像系统的设计
一种基于高灵敏度CCD的微光相机设计
基于FPGA的CCD驱动电路研究
高K栅介质AlGaN/GaN MOS-HEMT器件研究
碳纳米管场效应管电子输运特性的研究
线阵CCD的液位测量装置的设计研究
4H-SiC功率UMOSFETs的设计与关键技术研究
基于散粒噪声的纳米尺度MOSFET载流子相关性分析
基于Camera Link接口的成像电路设计
基于CMOS图像传感器的HDR图像采集技术研究
CCD立靶测量系统测量精度分析研究
单层石墨烯在场效应晶体管中的应用研究
基于VxWorks多CCD数据采集系统开发
超薄栅氧MOS器件栅泄漏电流研究
千万级像素CCD摄像机的关键技术研究
功率变流装置中IGBT器件缺陷辨识研究
纳米级MOSFET应力与性能分析
10A/100V VDMOS的研发设计
单轴应变Si nMOS反型层量子化特性与阈值电压研究
单轴应变硅PMOS设计与NBTI效应研究
单轴应变硅MOS器件栅电流研究
一种具有L型栅和部分p型隔离层的4H-SiC MESFET
Si基Ge沟道MOSFET阈值电压模型研究
应变硅纳米MOS器件研究
AlGaAs/GaAs HEMT电磁脉冲损伤机理研究
高K栅介质Ge MOS电容特性与制备研究
天顶仪面阵CCD半导体温控系统的设计与实现
电阻式存储器特性测试仪及应用研究
深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET的研究
InAlN/AlN/GaNHEMT的研制与特性仿真
深亚微米CMOS总剂量辐照效应温度模型研究
并苯衍生物合成及其性质研究
AlGaN/GaN异质结材料与器件的特性参数研究
上一页
[23]
[24]
[25]
[26]
[27]
下一页
