| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·研究背景及意义 | 第12-16页 |
| ·超大规模集成电路发展及对可靠性的要求 | 第12-13页 |
| ·静态功耗与泄漏电流 | 第13-15页 |
| ·栅极漏电流的研究意义 | 第15-16页 |
| ·栅极漏电流的研究概况 | 第16-18页 |
| ·本论文研究内容 | 第18-22页 |
| ·实验样品和实验设备 | 第18-20页 |
| ·论文的研究工作 | 第20-22页 |
| 第二章 超薄栅氧MOS器件直接隧穿栅电流机制与特性 | 第22-56页 |
| ·MOS器件隧穿机理 | 第22-27页 |
| ·隧道效应 | 第22-23页 |
| ·F-N(Fowler-Nordheim)隧穿 | 第23-24页 |
| ·直接隧穿(Direct tunneling) | 第24-27页 |
| ·直接隧穿相关问题 | 第27-31页 |
| ·量子效应 | 第27-29页 |
| ·多晶硅耗尽效应 | 第29-30页 |
| ·隧穿电流组成成份 | 第30-31页 |
| ·超薄栅氧MOS器件直接隧穿栅电流测试研究 | 第31-38页 |
| ·NMOSFET直接隧穿栅电流 | 第31-36页 |
| ·PMOSFET直接隧穿栅电流 | 第36-38页 |
| ·超薄栅氧MOS器件传统关态泄漏电流研究 | 第38-43页 |
| ·MOS器件关态泄漏机制 | 第38-40页 |
| ·超薄栅氧MOS器件传统关态泄漏电流测试研究 | 第40-43页 |
| ·直接隧穿栅泄漏对CMOS逻辑电路的影响 | 第43-49页 |
| ·CMOS逻辑电路中MOS器件主要工作状态 | 第43-44页 |
| ·CMOS反相器静态栅泄漏 | 第44-47页 |
| ·二输入CMOS与非门静态栅泄漏 | 第47-49页 |
| ·微电子发展对高K栅介质材料的需求 | 第49-53页 |
| ·高K材料能解决SiO_2栅介质减薄带来的问题 | 第50-51页 |
| ·高K栅介质材料的基本要求和性能考虑 | 第51-52页 |
| ·金属栅/高K介质CMOS器件 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-56页 |
| 第三章 SILC效应的机理研究 | 第56-66页 |
| ·SILC导电机制 | 第56-61页 |
| ·正电荷辅助(PCAT)隧穿模型 | 第56-57页 |
| ·陷阱辅助隧穿(TAT)模型 | 第57-60页 |
| ·局部物理损伤模型(LPDR)模型 | 第60-61页 |
| ·热辅助隧穿模型 | 第61页 |
| ·SILC组成成分 | 第61-62页 |
| ·SILC表征陷阱密度 | 第62-63页 |
| ·SILC对Flash Memory的影响 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第四章 均匀应力退化中栅泄漏研究 | 第66-84页 |
| ·测试方案与测量方法 | 第66-67页 |
| ·DT应力下超薄栅氧NMOS器件退化研究 | 第67-73页 |
| ·直接隧穿应力下器件退化现象 | 第67-69页 |
| ·界面陷阱对NMOS器件的影响 | 第69-71页 |
| ·直接隧穿应力下器件退化机理 | 第71-73页 |
| ·CGV和SHE两种应力下超薄栅氧MOS器件退化比较研究 | 第73-78页 |
| ·器件与实验设计 | 第73-74页 |
| ·两种应力下器件性能退化 | 第74-77页 |
| ·两种应力下SILC及击穿机理 | 第77-78页 |
| ·超薄栅氧PMOS器件SHH应力下退化研究 | 第78-83页 |
| ·SHH注入退化现象 | 第79-81页 |
| ·SHH注入退化机理 | 第81-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第五章 关态应力退化中栅泄漏研究 | 第84-96页 |
| ·GIDL应力下超薄栅氧LDD NMOS器件退化 | 第84-90页 |
| ·GIDL带带隧穿电流和GIDL电流探测原理 | 第84-86页 |
| ·器件特性退化与GIDL应力的关系 | 第86-88页 |
| ·GIDL应力损伤类型及机理 | 第88-89页 |
| ·GIDL应力过程中栅泄漏退化特性及机理 | 第89-90页 |
| ·Snapback应力对超薄栅超短沟NMOSFET退化的影响 | 第90-93页 |
| ·Snapback应力下器件特性退化 | 第91-92页 |
| ·Snapback应力下器件退化机理 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93-96页 |
| 第六章 沟道热载流子应力退化中栅泄漏研究 | 第96-108页 |
| ·热载流子应力下超薄栅超短沟LDD NMOS器件退化 | 第96-102页 |
| ·器件与实验设计 | 第96-97页 |
| ·两种热载流子应力下器件性能的退化 | 第97-98页 |
| ·利用GIDL电流分析损伤 | 第98-99页 |
| ·两种热载流子应力过程中栅泄漏退化特性及机理 | 第99-102页 |
| ·高温CHE应力下超薄栅LDD NMOS器件退化 | 第102-107页 |
| ·高温CHE应力过程中器件特性退化 | 第103-104页 |
| ·高温CHE应力过程中器件栅泄漏退化特性及机理 | 第104-107页 |
| ·本章小结 | 第107-108页 |
| 第七章 结束语 | 第108-112页 |
| ·本文的主要结论 | 第108-110页 |
| ·未来的工作 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-128页 |
| 论文期间研究成果 | 第128-129页 |
