| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·功率MOSFET的发展 | 第7-10页 |
| ·VDMOS的主要特点和应用 | 第10-11页 |
| ·国内VDMOS市场现状 | 第11-12页 |
| ·本文的主要工作 | 第12-15页 |
| 第二章 VDMOS基础 | 第15-29页 |
| ·VDMOS的基本结构和工作原理 | 第15-16页 |
| ·VDMOS的主要参数——击穿电压 | 第16-17页 |
| ·VDMOS的主要参数——导通电阻 | 第17-20页 |
| ·VDMOS的主要参数——雪崩能量 | 第20-23页 |
| ·VDMOS其他的主要参数 | 第23-25页 |
| ·VDMOS的终端结构设计 | 第25-27页 |
| ·总结 | 第27-29页 |
| 第三章 10A/100V VDMOS的设计过程 | 第29-47页 |
| ·VDMOS结构基本框架的确定 | 第29-32页 |
| ·仿真软件TSUPREM-4 和MEDICI简单介绍 | 第32页 |
| ·VDMOS击穿电压的仿真和优化设计 | 第32-39页 |
| ·VDMOS导通电阻的仿真和优化设计 | 第39-43页 |
| ·击穿电压和导通电阻影响因素的总结 | 第43-44页 |
| ·VDMOS阈值电压的影响因素的仿真 | 第44-45页 |
| ·总结 | 第45-47页 |
| 第四章 10A/100V VDMOS的工艺设计 | 第47-53页 |
| ·器件的工艺参数设计 | 第47-48页 |
| ·器件的版图设计 | 第48-49页 |
| ·工艺过程的设计 | 第49-52页 |
| ·总结 | 第52-53页 |
| 第五章 10A/100V VDMOS成品的各种测试数据 | 第53-59页 |
| ·芯片封装后各项数据的测试分析 | 第53-56页 |
| ·VDMOS导通电流 10A的确定 | 第56-57页 |
| ·总结 | 第57-59页 |
| 第六章 总结和展望 | 第59-61页 |
| ·总结 | 第59页 |
| ·展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |