| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·射频功率晶体管概述 | 第8-15页 |
| ·垂直功率 MOS | 第9-11页 |
| ·横向功率 MOS | 第11-15页 |
| ·隔离技术 | 第15-18页 |
| ·PN 结隔离 | 第15-16页 |
| ·硅岛隔离技术 | 第16页 |
| ·LOCOS 隔离技术 | 第16-17页 |
| ·浅沟槽隔离技术 | 第17-18页 |
| ·本文的主要工作 | 第18-20页 |
| 第二章 RF VLT SOI LDMOS 的基本性能研究 | 第20-34页 |
| ·RF VLT SOI LDMOS 结构 | 第20-21页 |
| ·RF VLT SOI LDMOS 的击穿特性 | 第21-26页 |
| ·VLT SOI LDMOS 耐压机理 | 第21-22页 |
| ·漂移区浓度对击穿特性的影响 | 第22-24页 |
| ·漂移区长度对击穿特性的影响 | 第24页 |
| ·器件结构对击穿特性的影响 | 第24-26页 |
| ·RF VLT SOI LDMOS 的导通特性 | 第26-29页 |
| ·I-V 特性 | 第26-27页 |
| ·导通电阻 | 第27-29页 |
| ·RF VLT SOI LDMOS 的电容特性 | 第29-31页 |
| ·寄生电容等效模型 | 第29-30页 |
| ·电容特性 | 第30-31页 |
| ·RF VLT SOI LDMOS 的频率特性 | 第31-33页 |
| ·高频小信号等效模型 | 第31-32页 |
| ·截止频率 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 RF VLT SOI LDMOS 的工艺设计研究 | 第34-46页 |
| ·工艺方案设计 | 第34-36页 |
| ·LOCOS 技术 | 第34-35页 |
| ·设计方案 | 第35-36页 |
| ·工艺参数设计 | 第36-41页 |
| ·Si_3N_4窗口大小与氧化层形貌的关系 | 第36-38页 |
| ·SiO_2厚度与氧化层形貌的关系 | 第38页 |
| ·氧化温度与氧化层形貌的关系 | 第38-39页 |
| ·氧化时间与氧化层形貌的关系 | 第39-40页 |
| ·氧化压强与氧化层形貌的关系 | 第40-41页 |
| ·工艺制备步骤 | 第41-44页 |
| ·工艺器件联合仿真 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 RF VRD LDMOS 的基本性能研究 | 第46-55页 |
| ·RF VRD LDMOS 结构 | 第46-47页 |
| ·RF VRD LDMOS 的击穿特性 | 第47-48页 |
| ·RF VRD LDMOS 的导通电阻 | 第48-49页 |
| ·RF VRD LDMOS 的直流输出特性 | 第49-51页 |
| ·阈值电压 | 第49-50页 |
| ·亚阈值特性 | 第50-51页 |
| ·I-V 输出特性 | 第51页 |
| ·RF VRD LDMOS 的电容特性 | 第51-53页 |
| ·RF VRD LDMOS 的频率特性 | 第53-54页 |
| ·跨导 | 第53-54页 |
| ·截止频率 | 第54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 RF VDR LDMOS 的工艺设计研究 | 第55-65页 |
| ·基于 RIE 技术的工艺方案设计 | 第55-56页 |
| ·反应离子刻蚀（RIE）技术 | 第55-56页 |
| ·设计方案 | 第56页 |
| ·基于 RIE 技术的工艺制备步骤 | 第56-59页 |
| ·基于 STI 技术的工艺方案设计 | 第59-61页 |
| ·浅沟槽隔离（STI）技术 | 第59-60页 |
| ·设计方案 | 第60-61页 |
| ·基于 STI 技术的工艺制备步骤 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第71-72页 |
| 附录 2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第72-73页 |
| 附录 3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |