AlGaAs/GaAs HEMT电磁脉冲损伤机理研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·论文背景及意义 | 第7-8页 |
| ·国内外研究状况 | 第8-10页 |
| ·论文的研究方法和主要内容 | 第10-11页 |
| 第二章 半导体器件 EMP 损伤机理分析 | 第11-23页 |
| ·器件的 EMP 损伤效应的物理机理 | 第11-14页 |
| ·电迁移 | 第11-12页 |
| ·雪崩击穿 | 第12-13页 |
| ·二次击穿 | 第13-14页 |
| ·氧化层击穿 | 第14页 |
| ·器件热效应分析 | 第14-17页 |
| ·等效热路 | 第15-16页 |
| ·热传导方程 | 第16-17页 |
| ·常用热效应模型 | 第17-22页 |
| ·单脉冲情况 | 第17-20页 |
| ·重复脉冲情况 | 第20-22页 |
| ·本章总结 | 第22-23页 |
| 第三章 HEMT 器件的模型建立 | 第23-41页 |
| ·GaAs 材料特性 | 第23-25页 |
| ·HEMT 工作原理 | 第25-28页 |
| ·ISE TCAD 简介 | 第28-30页 |
| ·HEMT 的模型与参数选取 | 第30-36页 |
| ·器件结构与杂质分布 | 第36-38页 |
| ·静态电流电压特性曲线 | 第38-39页 |
| ·本章总结 | 第39-41页 |
| 第四章 阶跃脉冲信号注入分析 | 第41-55页 |
| ·GaAs HEMT 的烧毁机理 | 第41-46页 |
| ·电场强度随时间变化情况 | 第41-43页 |
| ·电流密度随时间变化情况 | 第43-44页 |
| ·温度分布随时间变化情况 | 第44-46页 |
| ·GaAs HEMT 的损伤阈值 | 第46-49页 |
| ·烧毁时间与注入电压的关系 | 第46-47页 |
| ·损伤阈值与注入电压的关系 | 第47-49页 |
| ·外电路对烧毁时间的影响 | 第49-53页 |
| ·不同栅压对烧毁时间的影响 | 第49-50页 |
| ·栅极外接电阻对烧毁时间的影响 | 第50-53页 |
| ·本章总结 | 第53-55页 |
| 第五章 高功率微波注入分析 | 第55-63页 |
| ·二维仿真分析 | 第55-59页 |
| ·器件的端特性结果分析 | 第59-62页 |
| ·本章总结 | 第62-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 研究成果 | 第73-74页 |
