AlGaAs/GaAs HEMT电磁脉冲损伤机理研究
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
第一章 绪论 | 第7-11页 |
·论文背景及意义 | 第7-8页 |
·国内外研究状况 | 第8-10页 |
·论文的研究方法和主要内容 | 第10-11页 |
第二章 半导体器件 EMP 损伤机理分析 | 第11-23页 |
·器件的 EMP 损伤效应的物理机理 | 第11-14页 |
·电迁移 | 第11-12页 |
·雪崩击穿 | 第12-13页 |
·二次击穿 | 第13-14页 |
·氧化层击穿 | 第14页 |
·器件热效应分析 | 第14-17页 |
·等效热路 | 第15-16页 |
·热传导方程 | 第16-17页 |
·常用热效应模型 | 第17-22页 |
·单脉冲情况 | 第17-20页 |
·重复脉冲情况 | 第20-22页 |
·本章总结 | 第22-23页 |
第三章 HEMT 器件的模型建立 | 第23-41页 |
·GaAs 材料特性 | 第23-25页 |
·HEMT 工作原理 | 第25-28页 |
·ISE TCAD 简介 | 第28-30页 |
·HEMT 的模型与参数选取 | 第30-36页 |
·器件结构与杂质分布 | 第36-38页 |
·静态电流电压特性曲线 | 第38-39页 |
·本章总结 | 第39-41页 |
第四章 阶跃脉冲信号注入分析 | 第41-55页 |
·GaAs HEMT 的烧毁机理 | 第41-46页 |
·电场强度随时间变化情况 | 第41-43页 |
·电流密度随时间变化情况 | 第43-44页 |
·温度分布随时间变化情况 | 第44-46页 |
·GaAs HEMT 的损伤阈值 | 第46-49页 |
·烧毁时间与注入电压的关系 | 第46-47页 |
·损伤阈值与注入电压的关系 | 第47-49页 |
·外电路对烧毁时间的影响 | 第49-53页 |
·不同栅压对烧毁时间的影响 | 第49-50页 |
·栅极外接电阻对烧毁时间的影响 | 第50-53页 |
·本章总结 | 第53-55页 |
第五章 高功率微波注入分析 | 第55-63页 |
·二维仿真分析 | 第55-59页 |
·器件的端特性结果分析 | 第59-62页 |
·本章总结 | 第62-63页 |
第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
致谢 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-73页 |
研究成果 | 第73-74页 |