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AlGaAs/GaAs HEMT电磁脉冲损伤机理研究

摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第一章 绪论第7-11页
   ·论文背景及意义第7-8页
   ·国内外研究状况第8-10页
   ·论文的研究方法和主要内容第10-11页
第二章 半导体器件 EMP 损伤机理分析第11-23页
   ·器件的 EMP 损伤效应的物理机理第11-14页
     ·电迁移第11-12页
     ·雪崩击穿第12-13页
     ·二次击穿第13-14页
     ·氧化层击穿第14页
   ·器件热效应分析第14-17页
     ·等效热路第15-16页
     ·热传导方程第16-17页
   ·常用热效应模型第17-22页
     ·单脉冲情况第17-20页
     ·重复脉冲情况第20-22页
   ·本章总结第22-23页
第三章 HEMT 器件的模型建立第23-41页
   ·GaAs 材料特性第23-25页
   ·HEMT 工作原理第25-28页
   ·ISE TCAD 简介第28-30页
   ·HEMT 的模型与参数选取第30-36页
   ·器件结构与杂质分布第36-38页
   ·静态电流电压特性曲线第38-39页
   ·本章总结第39-41页
第四章 阶跃脉冲信号注入分析第41-55页
   ·GaAs HEMT 的烧毁机理第41-46页
     ·电场强度随时间变化情况第41-43页
     ·电流密度随时间变化情况第43-44页
     ·温度分布随时间变化情况第44-46页
   ·GaAs HEMT 的损伤阈值第46-49页
     ·烧毁时间与注入电压的关系第46-47页
     ·损伤阈值与注入电压的关系第47-49页
   ·外电路对烧毁时间的影响第49-53页
     ·不同栅压对烧毁时间的影响第49-50页
     ·栅极外接电阻对烧毁时间的影响第50-53页
   ·本章总结第53-55页
第五章 高功率微波注入分析第55-63页
   ·二维仿真分析第55-59页
   ·器件的端特性结果分析第59-62页
   ·本章总结第62-63页
第六章 总结与展望第63-65页
致谢第65-67页
参考文献第67-73页
研究成果第73-74页

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