| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第1章 文献综述 | 第11-29页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·新型非挥发性存储器简介 | 第12-15页 |
| ·相变存储器 | 第12-13页 |
| ·铁电存储器 | 第13-14页 |
| ·磁存储器 | 第14-15页 |
| ·电阻式磁存储器 | 第15页 |
| ·电阻式存储器研究进展 | 第15-22页 |
| ·电阻开关特性分类 | 第16-17页 |
| ·电阻式存储器的材料 | 第17-20页 |
| ·电流传导机制 | 第20-22页 |
| ·电阻开关效应的机制 | 第22-26页 |
| ·灯丝理论 | 第22-24页 |
| ·电荷俘获和释放机制 | 第24-25页 |
| ·肖特基发射效应 | 第25-26页 |
| ·电阻式存储器的集成结构 | 第26-27页 |
| ·1R 结构 | 第26-27页 |
| ·1T1R 结构 | 第27页 |
| ·1D1R 结构 | 第27页 |
| ·本课题研究的内容及意义 | 第27-29页 |
| 第2章 电阻式存储器特性测试仪原理 | 第29-33页 |
| ·几种测试方式的比较 | 第29页 |
| ·电阻式存储器特性测试仪的原理 | 第29-30页 |
| ·电阻式存储器寿命测试中的条件判断 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 电阻开关特性测试系统的硬件实现 | 第33-45页 |
| ·电阻开关特性寿命测试系统的结构图 | 第33-34页 |
| ·USB2813A 数据采集器 | 第34-38页 |
| ·USB2813A 的 DA 模拟量输出模块 | 第35-36页 |
| ·USB2813A 的 AD 模拟量输入模块 | 第36-37页 |
| ·USB2813A 的数字信号输入/输出模块 | 第37-38页 |
| ·限流保护设计 | 第38-42页 |
| ·限流保护部分的组成 | 第38页 |
| ·多路开关芯片 ADG706 | 第38-40页 |
| ·保护电阻之间的切换 | 第40-42页 |
| ·测试样品台的搭建 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 电阻开关特性测试系统的软件实现 | 第45-53页 |
| ·系统软件的整体设计 | 第45-48页 |
| ·程序设计框图 | 第45-46页 |
| ·对话框的设计与初始化 | 第46-48页 |
| ·设备对向的创建 | 第48页 |
| ·程序主体部分设计 | 第48-51页 |
| ·信号的输入/输出和电阻切换 | 第48-49页 |
| ·数据的保存与读取 | 第49-50页 |
| ·图形的绘制 | 第50-51页 |
| ·单次电阻开关特性测试 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 Au/Bi_2O_3/Si/Al 薄膜电阻存储器寿命的研究 | 第53-67页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第53-57页 |
| ·常用的薄膜制备法 | 第53-55页 |
| ·射频反应磁控溅射法镀膜 | 第55-57页 |
| ·薄膜的性能表征 | 第57-59页 |
| ·X 射线衍射（XRD）测试 | 第57-59页 |
| ·薄膜的光学性能测试 | 第59页 |
| ·I-V 特性及寿命测试 | 第59页 |
| ·Bi_2O_3薄膜的制备 | 第59-63页 |
| ·不同沉积时间 Bi_2O_3薄膜的制备条件 | 第59-60页 |
| ·不同沉积时间 Bi_2O_3薄膜厚度的计算 | 第60-62页 |
| ·不同薄膜厚度对 Bi_2O_3薄膜晶体结构的影响 | 第62-63页 |
| ·Bi_2O_3薄膜的开关特性及其寿命测试 | 第63-66页 |
| ·不同薄膜厚度对 Bi_2O_3薄膜电阻开关特性的影响 | 第63-65页 |
| ·不同薄膜厚度对 Bi_2O_3薄膜电阻开关特性寿命的影响 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第6章 结论 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 附录一 | 第73-76页 |
| 附录二 | 第76-78页 |
| 附录三 | 第78-79页 |
| 详细摘要 | 第79-83页 |
