| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究背景 | 第7页 |
| ·国内外应变 Si 技术发展 | 第7-8页 |
| ·本论文工作内容 | 第8-11页 |
| 第二章 单轴应变 Si 能带结构与关键物理参数研究 | 第11-33页 |
| ·单轴应变效应 | 第11-15页 |
| ·应力引入 | 第11-13页 |
| ·应力-应变关系 | 第13-15页 |
| ·k·p 微扰理论 | 第15-18页 |
| ·单轴应变硅导带 E(k)-k 关系 | 第18-27页 |
| ·抛物线近似下的导带 E(k)-k 关系 | 第19页 |
| ·考虑帯间耦合的导带 E(k)-k 关系 | 第19-23页 |
| ·结果与讨论 | 第23-27页 |
| ·单轴应变 Si 关键物理参数 | 第27-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 单轴应变 Si nMOS 反型层量子化效应研究 | 第33-53页 |
| ·体 Si nMOSFET 反型层量子化效应 | 第33-40页 |
| ·有效质量近似 | 第33-35页 |
| ·三角形势阱近似 | 第35-38页 |
| ·数值模拟 | 第38-40页 |
| ·单轴应变硅 nMOS 反型层的量子化特性 | 第40-50页 |
| ·三角势阱近似 | 第41-43页 |
| ·数值模拟 | 第43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-50页 |
| ·本章小结 | 第50-53页 |
| 第四章 单轴应变 Si nMOSFET 阈值电压研究 | 第53-67页 |
| ·应变对能带结构参数的影响 | 第53-56页 |
| ·阈值电压模型 | 第56-62页 |
| ·一维表面势 | 第57-59页 |
| ·二维表面势 | 第59-62页 |
| ·结果与讨论 | 第62-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 结论及展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 研究成果 | 第75-76页 |
