单轴应变硅MOS器件栅电流研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-8页
第一章 绪论	第8-14页
·课题研究背景及意义	第8-11页
·国内外研究现状	第11-12页
·研究内容及论文结构	第12-14页
第二章 栅电流机制分析	第14-24页
·栅电流	第14-16页
·隧穿栅电流产生机理	第16-18页
·热载流子栅电流产生机理	第18-22页
·热载流子效应	第18-21页
·热载流子栅电流产生机制	第21-22页
·本章小结	第22-24页
第三章 单轴应变硅 NMOS隧穿栅电流模型	第24-44页
·应力引入	第24-26页
·隧穿栅电流模型建立	第26-40页
·反型电子面密度	第31-36页
·隧穿几率	第36-38页
·碰撞频率	第38-39页
·栅隧穿电流模型	第39-40页
·仿真分析与结果讨论	第40-43页
·本章小结	第43-44页
第四章 单轴应变硅NMOS热载流子栅电流模型	第44-56页
·热载流子栅电流模型建立	第44-51页
·注入效率	第46-47页
·溢出几率	第47-50页
·载流子在栅介质中的速度	第50页
·热载流子栅电流模型	第50-51页
·仿真分析与结果讨论	第51-54页
·本章小结	第54-56页
第五章 结论与展望	第56-58页
致谢	第58-60页
参考文献	第60-66页
研究生期间的研究成果	第66-67页