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具有过流过温保护功能的DMOS设计

摘要第1-5页
Abstract第5-8页
第一章 引言第8-11页
   ·自保护功率器件简介第8页
   ·自保护功率器件的研究现状和发展趋势第8-10页
   ·本文的研究意义和主要工作第10-11页
第二章 功率MOSFETs简介第11-22页
   ·MOSFET的进化第11-13页
   ·垂直双扩散MOSFET第13-22页
     ·VDMOS基本结构第13页
     ·VDMOS制作工艺简述第13-15页
     ·VDMOS的基本特性第15-22页
第三章 功率器件自保护原理第22-31页
   ·功率器件自保护构架第22-23页
   ·过流保护原理第23-26页
     ·功率器件过电流的起因第23-24页
     ·VDMOS过流保护原理第24-26页
   ·过温保护原理第26-29页
   ·栅输入端控制第29-31页
第四章 功率器件及子电路元器件设计第31-49页
   ·功率VDMOS设计第31-41页
     ·主要参数指标第31-32页
     ·VDMOS结构设计第32-36页
     ·工艺流程设计第36-37页
     ·VDMOS器件工艺仿真第37-41页
   ·子电路模块部分元器件设计第41-49页
     ·NMOS管的设计第41-43页
     ·低压元器件与功率器件的隔离第43-44页
     ·电阻元件的设计第44-46页
       ·多晶电阻的仿真第44-45页
       ·采样电阻的设计第45-46页
     ·温敏二极管的设计第46-49页
第五章 功能验证仿真与版图设计第49-71页
   ·SPICE模型提取第49-60页
     ·NMOS管模型第49-57页
     ·VDMOS管模型第57-60页
   ·自保护功能验证仿真第60-71页
     ·限流模块验证第60-64页
     ·过温保护模块验证第64-67页
     ·自保护功率器件版图设计第67-71页
第六章 结论第71-72页
致谢第72-73页
参考文献第73-75页
硕士研究生期间取得的成果第75页

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