| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 专用术语注释表 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·有机场效应晶体管的研究进展及意义 | 第9-12页 |
| ·有机场效应晶体管的应用研究 | 第12-13页 |
| ·有机场效应晶体管目前存在的问题和发展方向 | 第13-14页 |
| ·本论文的主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 有机场效应晶体管的结构、工作原理及性能指标 | 第16-26页 |
| ·有机场效应晶体管的基本结构 | 第16-17页 |
| ·有机场效应晶体管的工作原理 | 第17-18页 |
| ·有机场效应晶体管的材料 | 第18-21页 |
| ·半导体材料 | 第18-19页 |
| ·绝缘层材料 | 第19页 |
| ·电极材料 | 第19-21页 |
| ·有机场效应晶体管的性能指标 | 第21-25页 |
| ·转移特性曲线和输出特性曲线 | 第21-22页 |
| ·场效应迁移率μ | 第22-23页 |
| ·阈值电压 threshold voltage | 第23-24页 |
| ·开关比 on/offratio | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 有机场效应晶体管器件的制备与表征 | 第26-31页 |
| ·有机场效应晶体管器件的制备 | 第26-29页 |
| ·基片的处理 | 第26-27页 |
| ·氧等离子预处理 | 第27-28页 |
| ·真空蒸镀 | 第28-29页 |
| ·有机场效应晶体管器件的性能测试 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 OFETs 器件制备平台和测试平台的搭建 | 第31-43页 |
| ·OFETs 器件制备平台 | 第31-35页 |
| ·掩膜版的设计 | 第32-34页 |
| ·掩膜版的制备材料 | 第34-35页 |
| ·OFETs 器件测试平台的搭建 | 第35-42页 |
| ·测试平台的硬件部分 | 第36-41页 |
| ·测试平台的软件部分 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 对标准器件工艺参数的探索与研究 | 第43-52页 |
| ·氧等离子处理时间对 OFET 器件性能的影响 | 第44-47页 |
| ·MoO_3修饰层厚度对器件性能的影响 | 第47-49页 |
| ·CuPc 薄膜厚度对器件性能的影响 | 第49-50页 |
| ·本实验室环境下的其他工艺参数 | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第六章 退火对 OFETs 器件性能的提升 | 第52-59页 |
| ·研究背景和意义 | 第52-53页 |
| ·实验部分 | 第53-54页 |
| ·实验数据分析与讨论 | 第54-58页 |
| ·退火对器件的载流子迁移率的提升 | 第54-56页 |
| ·退火对于 OFETs 器件寿命的提升 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第七章 总结与展望 | 第59-61页 |
| ·总结 | 第59页 |
| ·创新点 | 第59-60页 |
| ·展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |