| 摘要 | 第1-14页 |
| ABSTRACT | 第14-19页 |
| 符号表 | 第19-20页 |
| 第一章 引言 | 第20-38页 |
| §1-1 AlGaN/GaN异质结材料与器件的研究背景 | 第20-22页 |
| §1-2 AlGaN/GaN异质结构材料的发展历史 | 第22页 |
| §1-3 AlGaN/GaN异质结光电器件的发展历史 | 第22-24页 |
| §1-4 AlGaN/GaN异质结微电子器件的发展历史 | 第24-29页 |
| 1-4-1 提高AlGaN/GaN异质结微电子器件性能的常用工艺技术 | 第25-28页 |
| 1-4-2 增强型AlGaN/GaN HFETs的制备 | 第28-29页 |
| §1-5 AlGaN/GaN异质结电力电子器件的研究进展 | 第29页 |
| §1-6 国内AlGaN/GaN HFETs的研究进展 | 第29页 |
| §1-7 本文的研究内容与安排 | 第29-32页 |
| 参考文献 | 第32-38页 |
| 第二章 器件的制备与测试 | 第38-50页 |
| §2-1 AlGaN/GaN异质结材料的生长 | 第38-40页 |
| 2-1-1 衬底材料 | 第38页 |
| 2-1-2 缓冲层 | 第38-39页 |
| 2-1-3 生长工艺 | 第39-40页 |
| 2-1-4 本文AlGaN/GaN异质结材料的生长方法与结构特性 | 第40页 |
| 2-1-5 本文AlGaN/AlN/GaN异质结材料的生长方法与结构特性 | 第40页 |
| §2-2 AlGaN/GaN HFETs的制备工艺 | 第40-44页 |
| 2-2-1 表面处理 | 第40-41页 |
| 2-2-2 光刻工艺 | 第41-42页 |
| 2-2-3 台面刻蚀工艺 | 第42页 |
| 2-2-4 欧姆接触和肖特基接触工艺 | 第42-44页 |
| §2-3 AlGaN/GaN异质结构材料与器件的测试 | 第44-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 第三章 AlGaN/AlN/GaN HFETs中2DEG电子迁移率研究 | 第50-76页 |
| §3-1 圆形与方形AlGaN/AlN/GaN HFETs线性区的电流-电压关系 | 第50-54页 |
| 3-1-1 圆形AlGaN/AlN/GaN HFETs线性区的电流-电压关系 | 第51-52页 |
| 3-1-2 方形AlGaN/AlN/GaN HFETs线性区的电流-电压关系 | 第52-54页 |
| §3-2 不同栅金属面积、不同源漏间距的AlGaN/AlN/GaN HFETs中2DEG电子低场迁移率的研究 | 第54-74页 |
| 3-2-1 圆形与方形AlGaN/AlN/GaN HFETs(源漏间距100μm)中的2DEG电子低场迁移率 | 第54-60页 |
| 3-2-2 不同漏源尺寸的方形AlGaN/AlN/GaN HFETs中的2DEG电子低场迁移率 | 第60-67页 |
| 3-2-3 不同栅金属面积、不同源漏间距方形AlGaN/AlN/GaN HFETs线性工作区2 DEG迁移率 | 第67-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 第四章 从正向I-V曲线获取AlGaN/GaN(AlGaN/AlN/GaN)异质结肖特基势垒高度 | 第76-96页 |
| §4-1 从正向I-V曲线获取AlGaN/GaN异质结肖特基二极管势垒高度 | 第77-87页 |
| 4-1-1 利用热电子发射理论从正向I-V曲线获取AlGaN/GaN异质结肖特基二极管势垒高度 | 第77-85页 |
| 4-1-2 利用平带电压从正向I-V曲线获取AlGaN/GaN异质结肖特基二极管势垒高度 | 第85-87页 |
| §4-2 从正向I-V曲线获取AlGaN/AlN/GaN异质结肖特基二极管势垒高度 | 第87-93页 |
| 4-2-1 利用热电子发射模型从正向I-V曲线获取AlGaN/AlN/GaN异质结肖特基二极管势垒高度 | 第87-91页 |
| 4-2-2 利用平带电压从正向I-V曲线获取AlGaN/AlN/GaN异质结肖特基二极管势垒高度 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-96页 |
| 第五章 从正向I-V曲线获取AlGaN/GaN异质结极化电荷密度 | 第96-100页 |
| 参考文献 | 第99-100页 |
| 第六章 热退火对AlGaN/GaN异质结肖特基接触特征参数的影响 | 第100-112页 |
| §6-1 热退火处理对AlGaN势垒层应变的影响 | 第101-106页 |
| §6-2 热退火处理对AlGaN势垒层相对介电常数的影响 | 第106-108页 |
| §6-3 热退火对AlGaN/GaN异质结肖特基接触其他特征参数的影响 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-112页 |
| 第七章 结论 | 第112-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第118-120页 |
| Paper 1 | 第120-129页 |
| Paper 2 | 第129-138页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第138页 |
