深亚微米CMOS总剂量辐照效应温度模型研究

摘要	第1-6页
Abstract	第6-8页
第一章 绪论	第8-13页
·课题研究背景	第8-9页
·国内外研究现状	第9-11页
·课题来源及研究内容	第11-13页
第二章 CMOS 器件辐照效应基本理论	第13-26页
·辐照环境介绍	第13-14页
·主要的辐射效应和辐照损伤基理	第14-18页
·主要的辐射效应	第14-16页
·主要的辐照损伤基理	第16-18页
·深亚微米 CMOS 总剂量辐照效应退化基理	第18-25页
·本章小结	第25-26页
第三章 总剂量辐照温度模型研究	第26-40页
·深亚微米 CMOS 模型的选取	第26-28页
·总剂量效应固定电荷和界面态方程求解	第28-32页
·考虑温度因素的总剂量效应模型修正	第32-33页
·深亚微米 CMOS 总剂量效应漏电流模型求解	第33-39页
·本章小结	第39-40页
第四章 总剂量辐照模型参数提取与模型验证	第40-45页
·总剂量效应 I-V 特性模型参数提取	第40-44页
·总剂量效应温度模型验证	第44页
·本章小结	第44-45页
结论	第45-47页
参考文献	第47-52页
攻读硕士学位期间取得的研究成果	第52-53页
致谢	第53-54页
附件	第54页