| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·Ge/高 K 介质/金属栅结构的研究意义 | 第9-13页 |
| ·Ge/高 K 介质的研究现状 | 第13-17页 |
| ·本论文的主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 高 K 介质薄膜的生长方法和结构表征 | 第19-29页 |
| ·高 K 介质薄膜的生长方法 | 第19-24页 |
| ·电子束蒸发淀积高 K 栅介质薄膜 | 第19-20页 |
| ·磁控溅射淀积高 K 栅介质薄膜 | 第20页 |
| ·ALD 淀积高 K 介质薄膜 | 第20-24页 |
| ·高 k 介质金属栅电极的制备 | 第24-25页 |
| ·高 K 介质薄膜的结构表征 | 第25-26页 |
| ·X 射线衍射-XRR | 第25页 |
| ·X 射线光电子能谱-XPS | 第25-26页 |
| ·透射电子显微镜-TEM | 第26页 |
| ·小结 | 第26-29页 |
| 第三章 Ge/高 k 介质界面特性研究 | 第29-45页 |
| ·Ge/高 K 介质界面处理技术研究及其效果 | 第29-39页 |
| ·Ge 衬底表面钝化技术 | 第29-35页 |
| ·堆垛层结构技术及其对界面特性的影响 | 第35-38页 |
| ·退火工艺技术对界面质量的影响 | 第38-39页 |
| ·对于提高界面特性方法的总结 | 第39-40页 |
| ·Ge/高 K 介质界面处理实验优化设计 | 第40-44页 |
| ·实验方案的设计思想和原理 | 第41页 |
| ·实验步骤及后续问题思考 | 第41-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第四章 Ge 基高 K 介质 MOS 电容实验研究 | 第45-61页 |
| ·Ge-MOS 电容的电学特性曲线和参数提取 | 第45-48页 |
| ·Ge 基 HfO_2栅介质 MOS 电容实验研究 | 第48-51页 |
| ·Ge 衬底片的准备 | 第48页 |
| ·实验步骤及工艺 | 第48-49页 |
| ·实验测量和参数提取分析 | 第49-51页 |
| ·Ge 基 Al_2O_3栅介质 MOS 电容实验研究 | 第51-56页 |
| ·Ge 衬底片的准备 | 第51页 |
| ·实验步骤及工艺参数 | 第51-52页 |
| ·实验测量和参数提取分析 | 第52-56页 |
| ·Ge 基 Nd_2O_3栅介质 MOS 电容实验研究 | 第56-59页 |
| ·Ge 衬底片的准备 | 第56页 |
| ·实验步骤及工艺参数 | 第56页 |
| ·实验测量和参数提取 | 第56-59页 |
| ·小结 | 第59-61页 |
| 第五章 总结和展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 在研期间的研究成果 | 第71-72页 |
