| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究背景及意义 | 第7-9页 |
| ·论文结构 | 第9-11页 |
| 第二章 纳米MOSFET噪声及其载流子相关性 | 第11-29页 |
| ·纳米MOSFET电流噪声成分 | 第11-12页 |
| ·纳米MOSFET散粒噪声 | 第12-18页 |
| ·理论性解释 | 第12-15页 |
| ·实验数据证明 | 第15-18页 |
| ·介观导体载流子相关性 | 第18-23页 |
| ·载流子相关性类型 | 第18页 |
| ·散粒噪声抑制机理 | 第18-20页 |
| ·库仑相关性与散粒噪声 | 第20-21页 |
| ·费米相关性与散粒噪声 | 第21-23页 |
| ·纳米MOSFET散粒噪声抑制 | 第23-27页 |
| ·散粒噪声抑制 | 第23-25页 |
| ·库仑相关性对散粒噪声的影响 | 第25-26页 |
| ·费米相关性对散粒噪声的影响 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 准弹道输运纳米MOSFET散粒噪声及其抑制模型 | 第29-41页 |
| ·现有模型及其不足 | 第29-30页 |
| ·纳米MOSFET散粒噪声模型 | 第30-32页 |
| ·散粒噪声载流子相关性抑制的模型 | 第32-36页 |
| ·散粒噪声库仑相关性抑制模型 | 第34-35页 |
| ·散粒噪声费米相关性抑制模型 | 第35-36页 |
| ·散粒噪声抑制特性分析 | 第36-39页 |
| ·偏置电压对散粒噪声抑制的影响 | 第36-38页 |
| ·温度及源漏掺杂浓度对散粒噪声抑制的影响 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 纳米MOSFET散粒噪声的Monte Carlo模拟 | 第41-57页 |
| ·Monte Carlo模拟 | 第41-49页 |
| ·注入模型 | 第41-43页 |
| ·程序流程 | 第43-49页 |
| ·基于载流子相关性的模拟结果分析 | 第49-53页 |
| ·偏置电压对散粒噪声抑制的影响 | 第49-51页 |
| ·温度及源漏掺杂浓度对散粒噪声抑制的影响 | 第51-53页 |
| ·纳米MOSFET低噪声化新思路 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| ·论文总结 | 第57页 |
| ·展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 作者在读期间研究成果 | 第67页 |