| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·研究意义 | 第7-8页 |
| ·研究现状 | 第8-12页 |
| ·等比例缩小规律 | 第8-9页 |
| ·高 k 栅介质的使用和面临的问题 | 第9-10页 |
| ·硅基 Ge 沟道 MOSFET 的发展趋势 | 第10-12页 |
| ·论文的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 硅基 Ge 沟道 MOSFET 结构研究 | 第13-33页 |
| ·半导体 Ge 材料物理基础 | 第13-20页 |
| ·Ge 的晶格结构 | 第13-15页 |
| ·Ge 的能带结构 | 第15-19页 |
| ·迁移率 | 第19-20页 |
| ·Si 基 MOSFET 基础 | 第20-28页 |
| ·衬底均匀掺杂的 MOSFET | 第20-23页 |
| ·非均匀掺杂的 MOSFET | 第23-26页 |
| ·埋沟 MOS 器件 | 第26-28页 |
| ·SiGe 作虚拟衬底埋层 Ge 沟道 pMOSFET | 第28-29页 |
| ·器件的制作流程 | 第28-29页 |
| ·器件性能分析 | 第29页 |
| ·SiGe 虚拟衬底表面 Ge 沟道 pMOSFET | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 按等比例缩小的 MOSFET 器件物理效应 | 第33-47页 |
| ·短沟效应 | 第33-36页 |
| ·窄沟道效应 | 第36-39页 |
| ·漏致势垒降低效应 | 第39-43页 |
| ·小尺寸效应 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 表面 Ge 沟道 pMOSFET 阈值电压模型 | 第47-59页 |
| ·高 k 栅介质 SiGe 沟道 pMOSFET 的阈值电压模型 | 第47-51页 |
| ·高 k 栅介质 SiGe MOSFET 器件结构 | 第48-49页 |
| ·高 k 栅介质 SiGe 沟道 pMOSFET 阈值电压模型 | 第49-51页 |
| ·表面 Ge 沟道 pMOSFET 阈值电压模型 | 第51-55页 |
| ·表面 Ge 沟道 pMOSFET 结构 | 第51-52页 |
| ·长沟道阈值电压模型 | 第52-54页 |
| ·短沟道 Ge pMOSFET 的阈值电压模型 | 第54页 |
| ·DIBL 效应对阈值电压的影响 | 第54-55页 |
| ·表面 Ge 沟道 pMOSFET 阈值电压模型的验证和分析 | 第55-58页 |
| ·阈值电压和沟道长度的关系 | 第55页 |
| ·栅氧化层厚度对阈值电压的影响 | 第55-56页 |
| ·虚拟衬底中 Ge 含量对阈值电压的影响 | 第56页 |
| ·漏源电压对阈值电压的影响 | 第56-57页 |
| ·衬底掺杂浓度对阈值电压的影响 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士研究生期间的研究成果 | 第67-68页 |
