| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·石墨烯、碳纳米管——纳米器件的新材料 | 第8-9页 |
| ·石墨烯、碳纳米管器件的研究进展 | 第9-13页 |
| ·研究碳纳米管、石墨烯纳米器件的目的和意义 | 第13-14页 |
| ·本文的主要内容和章节安排 | 第14-16页 |
| 第二章 量子输运理论中的非平衡格林函数 | 第16-36页 |
| ·格林函数的概念 | 第16-19页 |
| ·非平衡格林函数 | 第19-27页 |
| ·哈密顿量模型 | 第19-21页 |
| ·密度矩阵和非平衡格林函数 | 第21-22页 |
| ·非平衡格林函数的定义与特性 | 第22-27页 |
| ·非平衡格林函数的具体应用 | 第27-34页 |
| ·实空间下的求解 | 第28-31页 |
| ·模式空间下的求解 | 第31-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 碳基材料的电子输运特性 | 第36-50页 |
| ·HALO-HMG-CNTFET 的结构 | 第36-38页 |
| ·HALO-HMG-CNTFET 的电子输运特性 | 第38-44页 |
| ·功函数的不同对 SHDM 的影响 | 第39-40页 |
| ·SHDM 结构与其它结构的性能比较 | 第40-43页 |
| ·异质栅栅长变化对高频性能的影响 | 第43-44页 |
| ·异质栅和 HALO 掺杂对 GNRFET 电子输运特性的影响 | 第44-48页 |
| ·异质栅功函数不同对 GNRFET 的影响 | 第44-45页 |
| ·HALO 掺杂和异质栅结构对 GNRFET 影响的比较 | 第45-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 石墨烯与碳纳米管静态特性的比较与分析 | 第50-58页 |
| ·双栅场效应管和围栅场效应管的计算方法 | 第50-52页 |
| ·石墨烯与碳纳米管静态特性的比较 | 第52-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 含时输运特性的分析 | 第58-66页 |
| ·含时格林函数的计算 | 第58-62页 |
| ·含时输运特性分析 | 第62-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第70-71页 |
| 附录 2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第71-72页 |
| 附录 3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |