| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-29页 |
| ·课题的研究意义 | 第10-11页 |
| ·SOI技术概述及制备方法 | 第11-17页 |
| ·SOI技术概述 | 第11-14页 |
| ·SOI制各方法 | 第14-17页 |
| ·SOI材料应用研究及市场进展 | 第17-18页 |
| ·SOI LDMOS的研究与发展 | 第18-20页 |
| ·CCD概述 | 第20-22页 |
| ·CCD的发展及现状 | 第20-21页 |
| ·CCD基本结构及工作原理 | 第21-22页 |
| ·CCD图像传感器和CMOS图像传感器的比较 | 第22-23页 |
| ·读取过程的比较 | 第22页 |
| ·集成性的比较 | 第22-23页 |
| ·其他性能的一些比较 | 第23页 |
| ·CCD的性能参数 | 第23-25页 |
| ·电荷转移效率和转移损失效率 | 第23-24页 |
| ·工作频率 | 第24-25页 |
| ·CCD中的光学系统 | 第25-27页 |
| ·理想光学系统的物像位置公式 | 第25-26页 |
| ·透镜的成像特性 | 第26-27页 |
| ·CCD图像传感器的发展中存在的一些问题 | 第27页 |
| ·本文的主要内容 | 第27-29页 |
| 第二章 CCD驱动要求 | 第29-48页 |
| ·SILVACO TCAD简介 | 第29页 |
| ·CCD基本单元工艺仿真 | 第29-36页 |
| ·仿真器ATHENA简介 | 第29-30页 |
| ·CCD工艺流程设计 | 第30-36页 |
| ·CCD基本单元器件特性仿真 | 第36-44页 |
| ·仿真器ATLAS简介 | 第36-37页 |
| ·OPG CCD器件的电学模型 | 第37-38页 |
| ·OPG CCD的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第38-40页 |
| ·光学特性仿真 | 第40-42页 |
| ·信号电荷转移仿真 | 第42-44页 |
| ·阻容网络充放电模型计算 | 第44-46页 |
| ·栅电容计算 | 第44页 |
| ·多晶硅栅电极电阻计算 | 第44-46页 |
| ·时间常数τ的计算 | 第46页 |
| ·驱动电流估算及对SOI LDMOS驱动能力要求的提出 | 第46-48页 |
| 第三章 SOI LDMOS理论研究 | 第48-58页 |
| ·基本结构及工作原理 | 第48-49页 |
| ·SOI LDMOS基本结构 | 第48-49页 |
| ·SOI LDMOS工作原理 | 第49页 |
| ·SOI LDMOS的工作区域 | 第49-50页 |
| ·普通MOS管的工作区域 | 第49-50页 |
| ·SOI LDMOS特殊的工作区域 | 第50页 |
| ·SOI LDMOS的主要参数 | 第50-55页 |
| ·漏源通/关态击穿电压 | 第50-51页 |
| ·阈值电压 | 第51页 |
| ·亚阈值电流 | 第51-52页 |
| ·通态电阻 | 第52-54页 |
| ·截止频率 | 第54-55页 |
| ·SOI LDMOS中的RESURF原理 | 第55-56页 |
| ·SOI LDMOS功率器件的击穿机理 | 第55-56页 |
| ·场极板原理 | 第56-58页 |
| 第四章 SOI LDMOS设计 | 第58-71页 |
| ·SOI LDMOS器件基本参数的设定及器件模拟 | 第58-61页 |
| ·P阱掺杂浓度的确定 | 第58-59页 |
| ·漂移区浓度的确定 | 第59-60页 |
| ·所设计SOI LDMOS的输出特性 | 第60-61页 |
| ·SOI LDMOS工艺流程 | 第61-68页 |
| ·SOI LDMOS工艺模拟 | 第61-66页 |
| ·工艺仿真结果及讨论 | 第66-68页 |
| ·SOI LDMOS版图设计 | 第68-71页 |
| ·版图绘制工具 | 第68页 |
| ·版图层次定义 | 第68-69页 |
| ·设计结果 | 第69页 |
| ·布局布线 | 第69-70页 |
| ·后仿真结果 | 第70-71页 |
| 第五章 SOI LDMOS驱动要求 | 第71-79页 |
| ·开关损耗 | 第71-72页 |
| ·输入电容 | 第72-74页 |
| ·开关时间 | 第74页 |
| ·SOI LDMOS驱动电路设计 | 第74-77页 |
| ·版图设计与后仿真 | 第77-79页 |
| 第六章 总结与展望 | 第79-81页 |
| ·总结 | 第79页 |
| ·展望 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-84页 |
| 附录 | 第84页 |