单轴应变硅PMOS设计与NBTI效应研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·国内外研究现状 | 第7-9页 |
| ·本论文的研究内容及章节安排 | 第9-11页 |
| 第二章 应变硅基本物理特性 | 第11-19页 |
| ·应变硅技术 | 第11-15页 |
| ·双轴应变 | 第11-12页 |
| ·单轴应变 | 第12-15页 |
| ·迁移率增强机理 | 第15-17页 |
| ·应变硅能带结构 | 第15-17页 |
| ·应变硅中迁移率增强机理 | 第17页 |
| ·小结 | 第17-19页 |
| 第三章 单轴应变硅 PMOS 结构研究与设计 | 第19-43页 |
| ·仿真环境 Sentaurus | 第19-20页 |
| ·SiN 致应变硅 PMOS | 第20-32页 |
| ·SiN 致应变硅 PMOS 实现 | 第20-24页 |
| ·应力与 PMOS 器件性能 | 第24-26页 |
| ·厚度与 PMOS 器件性能 | 第26-27页 |
| ·栅长与 PMOS 器件性能 | 第27-28页 |
| ·Poly 与 PMOS 器件性能 | 第28-29页 |
| ·侧墙与 PMOS 器件性能 | 第29-32页 |
| ·SiGe 源漏致应变硅 PMOS | 第32-38页 |
| ·SiGe 源漏致应变硅 PMOS 实现 | 第32-35页 |
| ·Ge 组分与 PMOS 器件性能 | 第35-36页 |
| ·结深与 PMOS 器件性能 | 第36-37页 |
| ·高度与 PMOS 器件性能 | 第37-38页 |
| ·栅长与 PMOS 器件性能 | 第38页 |
| ·复合应变硅 PMOS | 第38-41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第四章 应变硅 PMOS 的 NBTI 效应研究 | 第43-55页 |
| ·NBTI 产生机理 | 第43-45页 |
| ·界面态退化分析 | 第45-49页 |
| ·PMOS 器件性能退化研究 | 第49-51页 |
| ·栅氧厚度与 NBTI 退化研究 | 第51-53页 |
| ·应变硅 PMOS 性能优化 | 第53页 |
| ·小结 | 第53-55页 |
| 第五章 总结 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 研究成果 | 第65-66页 |
