应变硅纳米MOS器件研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
第一章 绪论	第7-15页
·引言	第7-8页
·国内外应变硅器件研究发展状况	第8-9页
·小尺寸 MOS 器件面临挑战	第9-13页
·短沟道效应	第9-10页
·漏致势垒降低效应	第10-11页
·热载流子效应	第11-13页
·本论文主要研究内容及章节安排	第13-15页
第二章 应变 MOS 器件技术	第15-25页
·应变硅技术分析	第15-20页
·应变硅晶格结构	第15-16页
·应变硅能带结构	第16-18页
·应变硅载流子迁移率	第18-20页
·纳米 MOS 器件应力引入方法	第20-24页
·双轴应变	第20-22页
·单轴应变	第22-24页
·小结	第24-25页
第三章 应变硅纳米 MOS 器件结构模型	第25-37页
·小尺寸纳米器件阈值电压模型	第25-28页
·应变硅纳米 MOS 器件源漏结构	第28-30页
·应变硅纳米 MOS 器件沟道结构	第30-36页
·Halo 结构	第30-35页
·逆向掺杂结构	第35-36页
·小结	第36-37页
第四章 应变硅纳米 MOS 器件仿真优化	第37-67页
·纳米器件仿真软件简介	第37-40页
·应变硅纳米 MOS 器件仿真优化	第40-59页
·应力与器件性能	第40-42页
·SiN 薄膜与器件性能	第42-46页
·栅结构与器件性能	第46-49页
·源漏结构与器件性能	第49-54页
·沟道结构与器件性能	第54-59页
·应变硅纳米 MOS 器件结构参数	第59-60页
·应变硅 MOS 器件工艺流程	第60-61页
·应变硅纳米 MOS 器件工艺仿真	第61-65页
·小结	第65-67页
第五章 结束语	第67-69页
致谢	第69-71页
参考文献	第71-75页