摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第1章 绪论 | 第9-15页 |
·GaN材料及其异质结研究进展 | 第9-11页 |
·GaN材料的特点 | 第9-10页 |
·GaNHEMT研究现状与应用 | 第10-11页 |
·InAlN/GaNHEMT的研究进展 | 第11-12页 |
·InAlN/GaNHEMT的特点 | 第11-12页 |
·InAlN/GaNHEMT的研究进展 | 第12页 |
·GaNHEMT的热可靠性研究进展 | 第12-13页 |
·本文的研究意义以及工作安排 | 第13-15页 |
第2章 InAlN/GaNHEMT的原理及制作 | 第15-37页 |
·GaNHEMT的极化效应 | 第15-18页 |
·AlGaN/GaN异质结的极化 | 第15-17页 |
·InAlN/GaN异质结的极化 | 第17-18页 |
·InAlN/GaNHEMT的基本原理 | 第18-21页 |
·InAlN/GaNHEMT的工作原理 | 第18-20页 |
·肖特基接触与欧姆接触的原理 | 第20-21页 |
·自热效应 | 第21-22页 |
·InAlN/AlN/GaNHEMT器件的设计 | 第22-29页 |
·InAlN/AlN/GaNHEMT器件简介 | 第22-23页 |
·量子阱中电子浓度的理论计算 | 第23-26页 |
·衬底的选择 | 第26页 |
·外延结构的设计 | 第26-28页 |
·版图结构设计 | 第28-29页 |
·空气桥结构的InAlN/AlN/GaNHEMT的制备 | 第29-35页 |
·InAlN/AlN/GaNHEMT的工艺制备流程 | 第29-34页 |
·非电镀法空气桥结构制备 | 第34-35页 |
·本章小结 | 第35-37页 |
第3章 InAlN/GaNHEMT的特性测试及分析 | 第37-47页 |
·肖特基势垒特性的测量 | 第37-41页 |
·I-V法测试肖特基势垒 | 第37-39页 |
·C-V法测试肖特基势垒 | 第39-41页 |
·缺陷电荷对肖特基势垒特性的影响 | 第41-42页 |
·InAlN/GaNHEMT的直流特性 | 第42-44页 |
·异常曲线分析 | 第44-45页 |
·本章小结 | 第45-47页 |
第4章 GaNHEMT器件的直流特性仿真 | 第47-61页 |
·器件仿真工具 | 第47-50页 |
·TCAD工具简介 | 第47-48页 |
·仿真软件SILVACO简介 | 第48-50页 |
·器件的模型参数及仿真方法 | 第50-55页 |
·材料模型和参数 | 第50-53页 |
·物理模型和参数 | 第53-55页 |
·电极的设定 | 第55页 |
·结构参数对HEMT器件性能的影响 | 第55-59页 |
·势垒层In组分的影响 | 第56页 |
·栅长Lg的影响 | 第56-58页 |
·势垒层厚度d的影响 | 第58-59页 |
·栅源间距的影响 | 第59页 |
·本章小结 | 第59-61页 |
第5章 GaNHEMT器件的热特性仿真 | 第61-71页 |
·silvaco中热仿真模型 | 第61-63页 |
·自热效应对电学特性的影响 | 第63-67页 |
·多指GaN基HEMT器件热形貌分布 | 第67-69页 |
·本章小结 | 第69-71页 |
结论 | 第71-73页 |
参考文献 | 第73-79页 |
攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第79-81页 |
致谢 | 第81页 |