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InAlN/AlN/GaNHEMT的研制与特性仿真

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第1章 绪论第9-15页
   ·GaN材料及其异质结研究进展第9-11页
     ·GaN材料的特点第9-10页
     ·GaNHEMT研究现状与应用第10-11页
   ·InAlN/GaNHEMT的研究进展第11-12页
     ·InAlN/GaNHEMT的特点第11-12页
     ·InAlN/GaNHEMT的研究进展第12页
   ·GaNHEMT的热可靠性研究进展第12-13页
   ·本文的研究意义以及工作安排第13-15页
第2章 InAlN/GaNHEMT的原理及制作第15-37页
   ·GaNHEMT的极化效应第15-18页
     ·AlGaN/GaN异质结的极化第15-17页
     ·InAlN/GaN异质结的极化第17-18页
   ·InAlN/GaNHEMT的基本原理第18-21页
     ·InAlN/GaNHEMT的工作原理第18-20页
     ·肖特基接触与欧姆接触的原理第20-21页
   ·自热效应第21-22页
   ·InAlN/AlN/GaNHEMT器件的设计第22-29页
     ·InAlN/AlN/GaNHEMT器件简介第22-23页
     ·量子阱中电子浓度的理论计算第23-26页
     ·衬底的选择第26页
     ·外延结构的设计第26-28页
     ·版图结构设计第28-29页
   ·空气桥结构的InAlN/AlN/GaNHEMT的制备第29-35页
     ·InAlN/AlN/GaNHEMT的工艺制备流程第29-34页
     ·非电镀法空气桥结构制备第34-35页
   ·本章小结第35-37页
第3章 InAlN/GaNHEMT的特性测试及分析第37-47页
   ·肖特基势垒特性的测量第37-41页
     ·I-V法测试肖特基势垒第37-39页
     ·C-V法测试肖特基势垒第39-41页
   ·缺陷电荷对肖特基势垒特性的影响第41-42页
   ·InAlN/GaNHEMT的直流特性第42-44页
   ·异常曲线分析第44-45页
   ·本章小结第45-47页
第4章 GaNHEMT器件的直流特性仿真第47-61页
   ·器件仿真工具第47-50页
     ·TCAD工具简介第47-48页
     ·仿真软件SILVACO简介第48-50页
   ·器件的模型参数及仿真方法第50-55页
     ·材料模型和参数第50-53页
     ·物理模型和参数第53-55页
     ·电极的设定第55页
   ·结构参数对HEMT器件性能的影响第55-59页
     ·势垒层In组分的影响第56页
     ·栅长Lg的影响第56-58页
     ·势垒层厚度d的影响第58-59页
     ·栅源间距的影响第59页
   ·本章小结第59-61页
第5章 GaNHEMT器件的热特性仿真第61-71页
   ·silvaco中热仿真模型第61-63页
   ·自热效应对电学特性的影响第63-67页
   ·多指GaN基HEMT器件热形貌分布第67-69页
   ·本章小结第69-71页
结论第71-73页
参考文献第73-79页
攻读硕士学位期间所发表的学术论文第79-81页
致谢第81页

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