| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·4H-SiC MESFET 国内外研究现状 | 第8-11页 |
| ·本文的主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 4H-SiC MESFET 的结构及工作原理 | 第13-27页 |
| ·4H-SiC 数值分析中的模型及参数选取 | 第13-17页 |
| ·数值仿真基本方程 | 第13-14页 |
| ·材料特性的模型和参数 | 第14-17页 |
| ·4H-SiC MESFET 器件的基本特性 | 第17-25页 |
| ·器件基本结构 | 第17-18页 |
| ·器件的基本原理和直流特性 | 第18-21页 |
| ·4H-SiC MESFET 器件的交流小信号分析方法 | 第21-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 LP-MESFET 的直流和射频小信号特性分析 | 第27-39页 |
| ·和栅极相接的 p 型隔离层对 MESFET 特性的影响 | 第27-31页 |
| ·和栅极相接的 p 型隔离层结构 | 第27-28页 |
| ·和栅极相接的 p 型隔离层对器件特性的影响 | 第28-31页 |
| ·LP-MESFET 特性分析 | 第31-38页 |
| ·LP-MESFET 的结构 | 第31-32页 |
| ·LP-MESFET 的结构的直流特性分析 | 第32-35页 |
| ·LP-MESFET 的结构的射频小信号特性分析 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 改进型 LP-MESFET 的直流和射频小信号特性分析 | 第39-53页 |
| ·改进型 LP-MESFET 结构 | 第39-40页 |
| ·ILP-MESFET 特性分析 | 第40-48页 |
| ·ILP-MESFET 直流特性分析 | 第40-42页 |
| ·ILP-MESFET 射频小信号特性分析 | 第42-45页 |
| ·ILP-MESFET 栅源部分 p 型隔离层厚度和浓度对栅源电容和跨导的影响 | 第45-48页 |
| ·ILP-MESFET 和双凹漂移区结构 MESFET 的比较 | 第48-52页 |
| ·ILP-MESFET 结构和 DR-MESFET 结构的对比 | 第48-49页 |
| ·ILP-MESFET 结构和 DR-MESFET 结构的射频小信号特性对比 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 硕士期间研究成果 | 第61-62页 |
