| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-26页 |
| ·体硅器件的挑战 | 第11-13页 |
| ·SOI 器件的发展概况 | 第13-18页 |
| ·SOI 技术的发展 | 第13-14页 |
| ·SOI 器件的研究现状 | 第14-18页 |
| ·深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET | 第18-24页 |
| ·深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET 的提出 | 第18-20页 |
| ·深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET 的特点 | 第20-24页 |
| ·本文的主要内容 | 第24-26页 |
| 第2章 SOI BJMOSFET阈值电压分析 | 第26-38页 |
| ·阈值电压的解析模型 | 第26-31页 |
| ·正界面表面势 | 第26-28页 |
| ·隐埋氧化层的二维电场效应 | 第28-30页 |
| ·阈值电压表达式 | 第30-31页 |
| ·阈值电压模拟与分析 | 第31-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 SOI BJMOSFET I-V 特性分析 | 第38-51页 |
| ·强反型电流模型 | 第38-46页 |
| ·沟道电荷 | 第39-41页 |
| ·载流子速度 | 第41-43页 |
| ·电流表达式 | 第43-46页 |
| ·I-V 特性分析与模拟 | 第46-50页 |
| ·直流分析模型 | 第46-47页 |
| ·I-V 特性模拟 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 SOI BJMOSFET频率及温度特性分析 | 第51-60页 |
| ·频率特性的理论分析 | 第51-53页 |
| ·频率特性的计算机模拟 | 第53-54页 |
| ·温度特性理论分析 | 第54-56页 |
| ·温度特性的计算机模拟 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 附录A | 第67-68页 |
| 附录B | 第68-70页 |
| 附录C | 第70-72页 |
| 附录D | 第72-74页 |
| 附录E | 第74-76页 |
| 附录F | 第76-78页 |
| 附录G | 第78-80页 |
| 附录H | 第80-82页 |
| 附录I | 第82-84页 |
| 附录J | 第84-86页 |
| 附录K | 第86-87页 |