SOI LIGBT的优化设计方法研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·SOI技术简介 | 第11-13页 |
| ·SOI材料提出的背景 | 第11页 |
| ·SOI材料的制备简介 | 第11-12页 |
| ·SOI技术的优点及缺点 | 第12-13页 |
| ·SOI技术国内外的研究进展 | 第13页 |
| ·SOI LIGBT的研究进展及发展趋势 | 第13-17页 |
| ·国内的研究进展 | 第13-16页 |
| ·国外的研究进展 | 第16-17页 |
| ·SOI LIGBT的发展趋势 | 第17页 |
| ·本论文的研究内容及结构 | 第17-19页 |
| 第二章 SOI LIGBT器件的工作原理 | 第19-25页 |
| ·SOI LIGBT器件的基本结构 | 第19-20页 |
| ·SOI LIGBT器件的工作模式 | 第20-21页 |
| ·正向阻断模式 | 第20页 |
| ·正向导通模式 | 第20-21页 |
| ·反向阻断模式 | 第21页 |
| ·静态特性 | 第21-22页 |
| ·转移特性 | 第21-22页 |
| ·输出特性 | 第22页 |
| ·动态特性 | 第22-24页 |
| ·闩锁特性 | 第24-25页 |
| 第三章 SOI LIGBT器件的初步设计及仿真 | 第25-47页 |
| ·阈值电压设计 | 第25-28页 |
| ·阈值电压模型 | 第25-27页 |
| ·阈值电压设计 | 第27-28页 |
| ·击穿电压设计 | 第28-32页 |
| ·场板原理 | 第28-29页 |
| ·RESURF原理 | 第29-32页 |
| ·漂移区参数估算 | 第32页 |
| ·抗闩锁设计 | 第32-35页 |
| ·闩锁机理分析 | 第32-34页 |
| ·提高器件抗闩锁能力的措施 | 第34-35页 |
| ·抗ESD设计 | 第35-40页 |
| ·静电产生原理 | 第35页 |
| ·静电放电模型 | 第35-38页 |
| ·ESD失效机理 | 第38-39页 |
| ·抗ESD的结构设计 | 第39-40页 |
| ·电学特性仿真 | 第40-47页 |
| ·器件仿真工具ATLAS简介 | 第40-41页 |
| ·静态特性仿真 | 第41-43页 |
| ·动态特性仿真 | 第43-44页 |
| ·击穿特性仿真 | 第44-45页 |
| ·闩锁特性仿真 | 第45-46页 |
| ·ESD特性仿真 | 第46-47页 |
| 第四章 SOI LIGBT器件的优化设计 | 第47-61页 |
| ·击穿电压优化 | 第47-56页 |
| ·缓冲区浓度优化 | 第47-49页 |
| ·漂移区浓度优化 | 第49-51页 |
| ·缓冲区结深优化 | 第51-53页 |
| ·埋氧层厚度优化 | 第53-54页 |
| ·场板优化 | 第54-56页 |
| ·通态电流优化 | 第56-58页 |
| ·缓冲区优化 | 第56-57页 |
| ·沟道长度优化 | 第57-58页 |
| ·闩锁优化 | 第58-59页 |
| ·N~+长度优化 | 第58页 |
| ·P-Well浓度优化 | 第58-59页 |
| ·抗ESD优化 | 第59-60页 |
| ·总结 | 第60-61页 |
| 第五章 SOI LIGBT器件的工艺设计 | 第61-71页 |
| ·工艺仿真工具ATHENA简介 | 第61页 |
| ·工艺流程设计及仿真 | 第61-68页 |
| ·仿真结果分析 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 版图设计 | 第71-80页 |
| ·器件单元版图绘制 | 第71-74页 |
| ·版图层次定义 | 第71-73页 |
| ·设计方法 | 第73-74页 |
| ·布局布线 | 第74-76页 |
| ·版图优化 | 第76-77页 |
| ·版图后仿真 | 第77-80页 |
| 第七章 设计总结及展望 | 第80-82页 |
| ·总结 | 第80-81页 |
| ·展望 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-86页 |
| 附录 | 第86页 |
