| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料和器件的研究意义 | 第14-15页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件 | 第15-16页 |
| ·AlGaN/GaN MOS-HEMT和AlGaN/GaN MIS-HEMT器件 | 第16-17页 |
| ·高K栅介质AlGaN/GaN MOS-HEMT器件 | 第17-18页 |
| ·本文的主要工作和安排 | 第18-24页 |
| 第二章 Ⅲ族氮化物材料研究 | 第24-44页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结材料研究 | 第24-29页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结材料面临的问题 | 第24-25页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结材料中的极化效应及2DEG的来源 | 第25-28页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中2DEG的高温输运特性研究 | 第28-29页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N多量子阱材料研究 | 第29-31页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N多量子阱结构及XRD结果 | 第29-30页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N多量子阱室温PL特性 | 第30-31页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N多量子阱材料的激子局域化效应研究 | 第31-39页 |
| ·低温PL谱Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N多量子阱中激子局域化效应研究 | 第32-35页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N多量子阱的内部量子效率研究 | 第35-36页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N多量子阱中激子与声子的相互作用研究 | 第36-38页 |
| ·激子局域化效应提高辐射复合效率的机理研究 | 第38-39页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N多量子阱中的量子限制斯塔克效应研究 | 第39-41页 |
| ·量子阱中的量子限制斯塔克效应 | 第39页 |
| ·变功率PL谱量子限制斯塔克效应的测量 | 第39-41页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N多量子阱中的热问题 | 第41-43页 |
| ·直流和脉冲EL测量平台 | 第41-42页 |
| ·直流和脉冲ELAl_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N多量子阱中热的研究 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 高K栅介质AlGaN/GaN MOS-HEMT器件工艺研究 | 第44-54页 |
| ·AlGaN/GaN异质结材料生长 | 第45页 |
| ·样品清洗 | 第45-46页 |
| ·器件台面隔离 | 第46-47页 |
| ·欧姆接触 | 第47-48页 |
| ·原子层淀积高K栅介质 | 第48-51页 |
| ·高K栅介质湿法腐蚀 | 第51-52页 |
| ·栅金属淀积 | 第52页 |
| ·加厚电极制作 | 第52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 高K介质AlGaN/GaN MOS电容特性研究 | 第54-76页 |
| ·高K介质AlGaN/GaN MOS的基本特性 | 第54-59页 |
| ·3.5nmAl_2O_3介质MOS电容中的载流子浓度分布计算 | 第54-57页 |
| ·高K介质MOS电容中的载流子浓度分布计算 | 第57-59页 |
| ·高K介质AlGaN/GaN MOS电容的C-V滞后特性 | 第59-61页 |
| ·高K介质MOS电容的C-V滞后特性 | 第59-61页 |
| ·C-V滞后法高K介质MOS电容中界面态密度的计算 | 第61页 |
| ·光照C-V法高K介质MOS电容中界面态密度的计算 | 第61-62页 |
| ·高K介质AlGaN/GaN MOS电容的变频C-V特性 | 第62-68页 |
| ·高K介质MOS电容的变频C-V特性 | 第62-66页 |
| ·变频C-V法高K介质MOS电容中界面态密度的计算 | 第66页 |
| ·不同方法测量界面态密度的对比分析 | 第66-68页 |
| ·热处理对高K介质AlGaN/GaN MOS电容特性的影响 | 第68-74页 |
| ·热处理对高K介质MOS饱和电容的影响 | 第68-69页 |
| ·热处理对高K介质MOS C-V滞后的影响 | 第69-70页 |
| ·热处理对高K介质MOS平带电压的影响 | 第70-72页 |
| ·热处理对高K介质MOS泄漏电流的影响 | 第72-73页 |
| ·热处理对高K介质MOS方块电阻的影响 | 第73-74页 |
| ·高K介质MOS电容热处理条件的优化 | 第74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 3.5nm Al_2O_3超薄栅介质MOS-HEMT器件设计与研究 | 第76-94页 |
| ·原子层淀积3.5nmAl_2O_3超薄栅介质结构设计 | 第76-80页 |
| ·MOS-HEMT器件不同栅介质材料的基本特性比较 | 第76-78页 |
| ·MOS-HEMT器件跨导与栅介质厚度的关系 | 第78-80页 |
| ·3.5 nm超薄AI2O3栅介质结构优化设计 | 第80页 |
| ·Al_2O_3栅介质MOS-HEMT器件直流特性 | 第80-84页 |
| ·Al_2O_3栅介质MOS-HEMT器件栅泄漏电流特性 | 第81页 |
| ·3.5nm Al_2O_3栅介质MOS-HEMT器件直流特性 | 第81-83页 |
| ·10nm Al_2O_3栅介质MOS-HEMT器件直流特性 | 第83-84页 |
| ·3.5nm Al_2O_3超薄栅介质MOS-HEMT器件表面钝化特性 | 第84-90页 |
| ·电流崩塌效应 | 第85-86页 |
| ·栅脉冲条件下的电流崩塌效应 | 第86-88页 |
| ·自热效应及漏脉冲条件下的电流崩塌效应 | 第88-89页 |
| ·栅漏同步脉冲条件下的电流崩塌效应 | 第89-90页 |
| ·Al_2O_3栅介质MOS-HEMT器件击穿特性 | 第90-91页 |
| ·3.5nm Al_2O_3超薄栅介质MOS-HEMT器件频率特性 | 第91-92页 |
| ·本章小结 | 第92-94页 |
| 第六章 高K栅介质AlGaN/GaN MOS-HEMT器件设计与研究 | 第94-110页 |
| ·AlGaN/GaN MOS-HEMT器件高K栅介质结构设计 | 第94-99页 |
| ·高K栅介质材料的应用 | 第95-96页 |
| ·采用原子层淀积方法生长高K栅介质材料的必要性 | 第96页 |
| ·高K栅介质材料在AlGaN/GaN MOS-HEMT器件上的应用 | 第96-97页 |
| ·HfO_2(3nm)/Al_2O_3(2nm)高K堆层栅介质结构设计 | 第97-98页 |
| ·HfAlO(5nm)高K复合栅介质结构设计 | 第98-99页 |
| ·高K栅介质MOS-HEMT器件直流特性 | 第99-103页 |
| ·高K栅介质MOS-HEMT器件栅泄漏电流特性 | 第99-100页 |
| ·高K堆层栅介质MOS-HEMT器件直流特性 | 第100-102页 |
| ·高K复合栅介质MOS-HEMT器件直流特性 | 第102-103页 |
| ·高K栅介质MOS-HEMT器件表面钝化特性 | 第103-104页 |
| ·HfO_2(3nln)/Al_2O_3(2nm)栅介质的钝化特性 | 第103-104页 |
| ·HfAlO(5nm)栅介质的钝化特性 | 第104页 |
| ·原子层淀积高K栅介质MOS-HEMT器件频率特性 | 第104-108页 |
| ·器件高频特性的基本参数 | 第104-106页 |
| ·高K栅介质MOS-HEMT器件频率特性 | 第106-108页 |
| ·本章小结 | 第108-110页 |
| 第七章 结束语 | 第110-114页 |
| ·本文的主要结论 | 第110-112页 |
| ·未来的工作 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-128页 |
| 论文期间研究成果 | 第128-129页 |
