| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| ·SOI技术概述 | 第11-13页 |
| ·SOI材料的制备技术 | 第13-14页 |
| ·SDB技术 | 第13页 |
| ·SIMOX技术 | 第13页 |
| ·Smart-cut技术 | 第13-14页 |
| ·SOI横向功率器件 | 第14-16页 |
| ·SOI LDMOS | 第14-15页 |
| ·SOI LIGBT | 第15-16页 |
| ·SOI横向功率器件技术的发展 | 第16-22页 |
| ·横向耐压技术的发展 | 第16-18页 |
| ·纵向耐压技术的发展 | 第18-22页 |
| ·本论文的主要研究工作和章节安排 | 第22-23页 |
| 第2章 SOI功率器件的设计原理 | 第23-37页 |
| ·SOI功率器件耐压机理分析 | 第23-25页 |
| ·横向表面耐压 | 第23-24页 |
| ·纵向体内耐压 | 第24-25页 |
| ·场终端技术 | 第25-27页 |
| ·场板技术 | 第25页 |
| ·RESURF原理 | 第25-26页 |
| ·横向变掺杂技术 | 第26-27页 |
| ·SOI功率器件的通态电阻分析 | 第27-33页 |
| ·SOI LDMOS的通态电阻 | 第27-31页 |
| ·SOI LIGBT的通态电阻 | 第31-33页 |
| ·纵向沟道SOI横向功率器件 | 第33-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 高压SOI LDMOS/LIGBT器件设计 | 第37-61页 |
| ·仿真设计工具 | 第37-38页 |
| ·TCAD ATHENA简介 | 第37-38页 |
| ·TCAD ATLAS简介 | 第38页 |
| ·SOI LDMOS耐压特性 | 第38-47页 |
| ·初始结构耐压分析 | 第38-42页 |
| ·漂移区浓度优化 | 第42-44页 |
| ·埋氧层厚度优化 | 第44-46页 |
| ·漂移区长度优化 | 第46-47页 |
| ·SOI LDMOS通态特性 | 第47-51页 |
| ·阈值电压 | 第47-48页 |
| ·输出特性 | 第48-50页 |
| ·线性区通态电阻 | 第50-51页 |
| ·SOI LIGBT耐压特性 | 第51-56页 |
| ·初始结构耐压分析 | 第51-55页 |
| ·缓冲区参数优化 | 第55-56页 |
| ·SOI LIGBT通态特性 | 第56-60页 |
| ·闩锁效应 | 第56-57页 |
| ·输出特性 | 第57-60页 |
| ·本章小节 | 第60-61页 |
| 第4章 双槽栅SOI LDMOS器件新结构 | 第61-76页 |
| ·DTG SOI LDMOS器件结构与基本工作原理 | 第61-62页 |
| ·主要电学性能分析 | 第62-63页 |
| ·截止态击穿电压 | 第62页 |
| ·线性区通态电阻 | 第62-63页 |
| ·饱和区跨导 | 第63页 |
| ·DTG SOI LDMOS器件设计与优化 | 第63-69页 |
| ·结构的定义 | 第63-64页 |
| ·电学性能仿真与优化 | 第64-69页 |
| ·制造方法及工艺仿真 | 第69-75页 |
| ·工艺流程 | 第69-71页 |
| ·工艺仿真及其结果的电学模拟 | 第71-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 第5章 含P埋层SOI LDMOS/LIGBT器件新结构 | 第76-92页 |
| ·BPL SOI LDMOS/LIGBT器件结构及原理 | 第76-77页 |
| ·BPL SOI LDMOS器件的设计与优化 | 第77-85页 |
| ·初始结构的定义 | 第77-80页 |
| ·耐压特性的优化 | 第80-82页 |
| ·通态特性的分析 | 第82-85页 |
| ·BPL SOI LIGBT器件的设计与优化 | 第85-88页 |
| ·截止态耐压特性的分析 | 第85页 |
| ·通态特性的分析 | 第85-88页 |
| ·BPL SOI材料设计 | 第88-91页 |
| ·硼原子在硅中的扩散 | 第88-89页 |
| ·镓原子在硅中的扩散 | 第89-90页 |
| ·铝原子在硅中的扩散 | 第90-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 第6章 总结与展望 | 第92-93页 |
| ·总结 | 第92页 |
| ·展望 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-99页 |
| 附录 | 第99页 |
