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场效应器件
基于能带调制技术的AlGaN/GaN功率器件研究
小尺寸应变LDMOS器件研究
基于场板和背势垒技术的AlGaN/GaNHEMT耐压结构研究
功率AlGaN/GaN HEMT缓冲层设计和耐压新结构
GaN HEMT表面电场模型与反向续流设计
GaN HEMT功率器件新结构和模型研究
ESD应力下LDMOS温度特性的研究
一种CBSLOP LDMOS及其源极浮动SENSE FET器件设计
0.35μm 40V LDMOS器件ESD性能研究与优化
采用SJ技术实现的OPTVLD-LDMOS的一些特性
CCD器件特性与复合栅介质厚度的关系研究
SiC VDMOS器件结构设计及界面陷阱效应研究
新结构4H-SiC MESFET设计与实验研究
40nm MOSFET统计模型的研究与实现
HEMT器件的小信号建模
高κ叠层栅MIS结构的实现与性能增强技术研究
PTT与PVDF介电层形态结构对场效应晶体管迁移率影响的研究
基于C60和酞菁钯有机光敏场效应管的研究
肖特基接触有机场效应晶体管器件模型研究
基于酞菁铅有机光敏场效应管的研究
石墨烯场效应晶体管电流模型的研究
基于线阵CCD非接触式实时动态检测生丝细度
600V功率MOSFET器件的元胞结构研究
高压功率MOSFET终端结构击穿特性的研究
75V沟槽型功率MOSFET的特性研究
氮化镓基HEMT器件高场退化效应与热学问题研究
超高分辨率CCD成像系统关键技术研究
航空遥感应用中TDI CCD信噪比与电荷转移像移研究
双极型有机场效应晶体管及有机发光晶体管的研制
工业检测中的线阵CCD相机系统设计与研究
高速高清CCD系统设计
电子倍增CCD模拟前端设计与信号优化
基于EMCCD的光子计数成像方法及实验研究
室内线阵CCD立靶测试系统中关键问题的研究
新型杂稠环有机小分子场效应晶体管材料的合成及性能的研究
MoS2场效应晶体管沟道电子输运性质研究
Si基高频场效应晶体管特性仿真及工艺研究
基于面阵CCD的钢板几何尺寸测量系统的研究
功率MOS器件模型的研究
柔性有机场效应晶体管(OFET)器件性能的研究
GaN MOSFET表征方法及工艺依赖性研究
CCD编码曝光相机的设计
600V功率VD-MOSFET器件仿真
基于线阵CCD的坯布疵点检测算法研究
高性能氮化物半导体MOS-HEMT器件研究
隔离型和隧道型RC-IGBT新结构与耐压设计
基于气象卫星扫描辐射计的二维动态测角系统研究
高速线阵CCD扫描图像采集与存储系统的设计
有机场效应晶体管绝缘层表面修饰的研究
光响应分子的设计、性质研究及其光电器件的应用
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