高压低功耗LDMOS研究

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-9页
第1章 绪论	第9-17页
·课题背景	第9-10页
·SOI功率器件研究现状	第10-16页
·本文的主要工作	第16-17页
第2章 双槽双栅MOSFET新结构特性分析	第17-38页
·SOI槽栅MOSFET	第17-21页
·SOI双槽MOSFET	第21-24页
·SOI双槽双栅MOSFET	第24-32页
·不同电压下双槽双栅MOSFET的耗尽情况	第24-26页
·优化氧化物槽的深度D_T	第26-27页
·优化氧化物槽的宽度W_T	第27-28页
·优化埋氧层的厚度	第28-30页
·优化SOI的厚度t_S	第30-31页
·优化氧化物槽中栅的深度D_G	第31-32页
·优化氧化物槽中栅的宽度E_G	第32页
·SOI双槽双栅MOSFET的优势及工艺制备	第32-38页
·SOI双槽双栅MOSFET的优势	第32-35页
·SOI双槽双栅MOSFET的工艺流程	第35-38页
第3章 埋N岛LDMOS新结构特性分析	第38-58页
·P-SOI LDMOS	第38-40页
·埋N层LDMOS	第40-42页
·埋N岛LDMOS	第42-50页
·埋N岛LDMOS器件的耐压机理	第44-45页
·不同电压下埋N岛LDMOS的耗尽情况	第45-46页
·优化N岛的注入剂量Q_N	第46-47页
·优化N岛的长度L_N	第47-48页
·优化N岛的间距L_B	第48-49页
·优化N岛超出坐标原点的长度L_A	第49-50页
·埋N岛LDMOS的优势、工艺制备及样品测试	第50-58页
·埋N岛LDMOS器件的优势	第50-51页
·埋N岛LDMOS器件的工艺流程	第51-53页
·埋N岛LDMOS器件的版图绘制	第53-55页
·埋N岛LDMOS器件的样品测试	第55-58页
第4章 变k BPSOI新结构特性分析	第58-70页
·常规PSOI	第58-59页
·低k BPSOI	第59-62页
·优化p埋层的浓度N_P	第60页
·有P埋层和无P埋层对比	第60-61页
·低k BPSOI新结构和常规PSOI对比	第61-62页
·变k BPSOI	第62-68页
·优化介质2的长度L_(12)	第63-64页
·优化介质1的长度L_(11)	第64-65页
·优化p埋层的长度L_P	第65页
·优化介质埋层1的介电常数K_(11)	第65-67页
·有p埋层和无p埋层的器件特性比较	第67-68页
·变K BPSOI的优势	第68-70页
第5章 结论	第70-72页
致谢	第72-73页
参考文献	第73-75页
攻读硕士学位期间取得的研究成果	第75-76页