| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-19页 |
| ·SOI技术概述 | 第10-12页 |
| ·SOI高压器件研究现状 | 第12-17页 |
| ·本文的主要工作及创新点 | 第17-19页 |
| 第二章 双面电荷槽高压PSOI LDMOS新结构的研究与实验 | 第19-37页 |
| ·常规SOI和常规PSOI LDMOS器件的耐压特性 | 第19-21页 |
| ·DTPSOI LDMOS的分析与设计 | 第21-30页 |
| ·DTPSOI LDMOS的耐压机理 | 第21-25页 |
| ·DTPSOI LDMOS器件参数对耐压的影响 | 第25-29页 |
| ·DTPSOI LDMOS的热特性研究 | 第29-30页 |
| ·DTPSOI材料的工艺实现 | 第30-33页 |
| ·DTPSOI LDMOS版图的设计 | 第33-35页 |
| ·DTPSOI LDMOS实验结果分析 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 阶梯埋氧复合埋层高压SOI LDMOS新结构的研究 | 第37-52页 |
| ·CBL SOI LDMOS的耐压机理 | 第37-38页 |
| ·SBO CBL SOI LDMOS的耐压机理 | 第38-41页 |
| ·SBO CBL SOI LDMOS器件参数对耐压和导通电阻的影响 | 第41-48页 |
| ·SBO CBL SOI LDMOS器件的热特性分析 | 第48-49页 |
| ·SBO CBL SOI LDMOS消除背栅效应 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 一种高压低功耗的可集成SOI功率横向器件的研究 | 第52-70页 |
| ·DT SOI MOSFET的分析与设计 | 第52-63页 |
| ·DT SOI MOSFET的耐压机理 | 第52-56页 |
| ·DT SOI MOSFET比导通电阻减小机理 | 第56-57页 |
| ·DT SOI MOSFET动态特性 | 第57-58页 |
| ·DT SOI MOSFET器件参数的确定 | 第58-63页 |
| ·DT SOI MOSFET器件的工艺实现 | 第63-67页 |
| ·DT SOI MOSFET器件及其驱动电路版图的设计 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 结论 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第75-77页 |
