| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-30页 |
| ·研究背景和意义 | 第11-13页 |
| ·研究相关内容简介与研究现状 | 第13-27页 |
| ·纳米管简介 | 第13-20页 |
| ·MOSFET简介 | 第20-26页 |
| ·纳米管MOSFET | 第26-27页 |
| ·本文研究内容和章节安排 | 第27-30页 |
| ·本文研究内容 | 第27-28页 |
| ·章节安排 | 第28-30页 |
| 第二章 研究方法及研究工具介绍 | 第30-37页 |
| ·器件结构介绍以及本文研究相关的理论依据前提 | 第30-32页 |
| ·研究工具介绍 | 第32-36页 |
| ·器件设计软件 | 第32-35页 |
| ·数据处理、图形绘制软件 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 器件自身属性参数(掺杂、氧化层厚度、导电部分电阻)对器件电导性影响的模拟、计算及讨论 | 第37-47页 |
| ·硅壳层中的硼掺杂浓度对于硅壳层纳米管MOSFET输运特性的影响 | 第37-40页 |
| ·氧化层厚度对硅壳层纳米管MOSFET输运特性的影响 | 第40-41页 |
| ·导电沟道的电阻、尺寸对硅壳层纳米管MOSFET输运特性的影响 | 第41-43页 |
| ·与先前研究实验结果最为符合的仿真模拟结果 | 第43-45页 |
| ·器件本身属性、参数最优化模拟 | 第45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 器件外部环境参数(外加光照)对硅壳层纳米管MOSFET输运特性的影响 | 第47-52页 |
| ·入射光波长变化对光响应(光电流)的影响 | 第47-49页 |
| ·Si壳层(吸收层)厚度对光响应(光电流)的影响 | 第49-50页 |
| ·入射光光强对光电流的影响 | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 纳米管MOSFET导电沟道的空穴密度分布 | 第52-55页 |
| ·模拟分析讨论 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 总结与展望 | 第55-58页 |
| 参考文献 | 第58-65页 |
| 附录一 器件仿真模拟软件的仿真流程及程序介绍 | 第65-78页 |
| 附录二 攻读硕士期间发表论文及学术成果情况 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
