| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·国内外研究动态 | 第8-9页 |
| ·本论文主要研究工作 | 第9-11页 |
| 第二章 应变硅技术物理机制及相关理论 | 第11-21页 |
| ·应变硅技术 | 第11页 |
| ·应变硅器件应力引入方法 | 第11-17页 |
| ·全局应变技术 | 第11-14页 |
| ·局部应变技术 | 第14-17页 |
| ·应力与应变 | 第17-18页 |
| ·本章小结 | 第18-21页 |
| 第三章 应变硅 MOSFET 应力分布研究 | 第21-39页 |
| ·有限元分析方法 | 第21-22页 |
| ·SiGe S/D 应变硅 PMOSFET 应力分布研究 | 第22-30页 |
| ·有限元模型建立 | 第22-23页 |
| ·有限元分析方法 | 第23-25页 |
| ·模拟结果及分析 | 第25-30页 |
| ·SiC S/D 应变硅 NMOSFET 应力分布研究 | 第30-36页 |
| ·有限元模型建立 | 第30-31页 |
| ·有限元分析方法 | 第31-32页 |
| ·模拟结果及分析 | 第32-36页 |
| ·本章小结 | 第36-39页 |
| 第四章 应变硅 MOSFET 应力与电学特性研究 | 第39-53页 |
| ·Sentaurus 仿真技术 | 第39-40页 |
| ·应变硅 PMOSFET 应力与电学性能 | 第40-45页 |
| ·模型建立 | 第40-41页 |
| ·SiGe S/D 的 PMOSFET 结构沟道内应力分析 | 第41-43页 |
| ·SiGe S/D 的 PMOSFET 结构电学性能分析 | 第43-45页 |
| ·应变硅 NMOSFET 应力与电学性能 | 第45-51页 |
| ·模型建立 | 第45-46页 |
| ·SiN 薄膜 NMOSFET 沟道内应力分析 | 第46-48页 |
| ·SiN 薄膜 NMOSFET 电学性能分析 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 应变硅 MOSFET 沟道应力特性分析 | 第53-61页 |
| ·应变硅载流子迁移率增强机理 | 第53-55页 |
| ·应变硅电子迁移率 | 第53-54页 |
| ·应变硅空穴迁移率 | 第54-55页 |
| ·应变硅器件沟道应力与载流子分布 | 第55-58页 |
| ·常规 MOSFET 工作原理 | 第55-57页 |
| ·应变硅 MOSFET 沟道载流子分布探索 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-61页 |
| 第六章 总结和展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 研究成果 | 第71-72页 |
