| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 专用术语注释表 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| ·碳纳米管——纳米器件的新型材料 | 第8-14页 |
| ·碳纳米管的结构 | 第8-13页 |
| ·碳纳米管的性质与应用 | 第13-14页 |
| ·碳纳米管场效应晶体管的研究进展 | 第14-18页 |
| ·本文的主要内容 | 第18-19页 |
| 第二章 纳米器件的量子输运理论 | 第19-32页 |
| ·半经典电子输运理论 | 第19-20页 |
| ·相位相干的量子输运：Landauer-Büttiker 输运理论 | 第20-21页 |
| ·量子输运中的非平衡格林函数方法 | 第21-31页 |
| ·一维器件的紧束缚哈密顿量 | 第22-23页 |
| ·无限电极的截断 | 第23-25页 |
| ·一维纳米器件的电子密度和电流的格林函数表示 | 第25-27页 |
| ·分层结构的非平衡格林函数方程 | 第27-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 碳纳米管场效应管电子输运特性的研究 | 第32-43页 |
| ·碳纳米管场效应管的非平衡格林函数模型 | 第32-34页 |
| ·碳纳米管场效应管的量子建模 | 第34-37页 |
| ·实空间方法 | 第34-36页 |
| ·模空间方法 | 第36-37页 |
| ·计算结果与讨论 | 第37-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 新型结构的碳纳米管场效应管电子输运特性的研究 | 第43-58页 |
| ·理论模型与计算方法 | 第43-46页 |
| ·计算结果与讨论 | 第46-56页 |
| ·单质栅 CNTFETs 的电子输运特性 | 第47-50页 |
| ·双材料异质栅 CNTFETs 的电子输运特性 | 第50-54页 |
| ·三材料异质栅 CNTFETs 的电子输运特性 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 准一维碳纳米管系统含时输运特性的研究 | 第58-64页 |
| ·理论模型与计算方法 | 第58-60页 |
| ·计算结果与讨论 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 总结与展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第69-70页 |
| 附录 2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第70-71页 |
| 附录 3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |