当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
基于太赫兹表面等离子体波谱分析的半导体缺陷检测系统研究
可溶液加工的二芳基芴类有机光电多孔聚合物合成、表征及其性能研究
导纳谱法研究有机半导体的界面陷阱自由能，前置因子和陷阱态密度
基于苯并噻二唑的二维多环芳烃共轭分子的设计合成及应用
SiC MOS器件界面特性的ECR等离子体SiC表面改性研究
基于全息光刻法的红外光子晶体薄膜的研制
电子束熔炼去除硅中氧、碳及其化合物的研究
黄铁矿的组织结构与光电性能研究
氧化镁衬底铝铟氧化物薄膜的制备及特性研究
沉金后液中硒碲的回收及热力学分析
层状MoS2/Cu2O复合半导体的制备及其光催化性能研究
Pd掺杂花状In2O3微结构的制备及其气敏特性研究
三维生长工艺对GaN外延层质量和阱厚对InGaN/GaN多量子阱光学性能的影响
铁铜共掺杂TiO2稀磁半导体的结构与磁性能研究
主动自由曲面补偿光学系统像差研究
基于HfO2电荷俘获层氧缺陷存储特性研究
分子体系及半导体微纳结构的超快动力学研究
FePc/MoO_x(x≤3)界面电子结构及有机分子取向的磁场调控研究
多孔硅热致超声发射的建模研究
新型半导体纳米晶的合成及光电性能研究
基于SU-8光刻胶的微透镜及阵列的研究
碳化硅功率器件关键工艺研究
ZnO薄膜光电性能调控技术研究
离子掺杂对宽禁带半导体微纳米材料形貌和光学性质的调控
SU-8厚胶精密整平关键技术研究
Ⅱ-Ⅵ半导体核壳纳米晶、掺杂纳米晶的调控合成及性能研究：阳离子交换反应的新应用
飞秒激光诱导晶体材料偏振依赖性烧蚀特性研究
碱金属元素Li掺杂对SnTMO2（TM=Fe,Ni,Mn,Cr,Co）结构与磁性的影响
基于模糊FMEA方法的改进西门子生产硅风险分析--以长治市硅矿为例
P掺杂Ca2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算
PECVD制备a-Si:H(nc-Si:H)/a-SiC:H多层薄膜的光电特性研究
ZnMgO/ZnO异质结构中二维电子气电学性能研究
ALD法制备AZO薄膜及光电性质研究
有机半导体材料的激光性能研究
超声波雾化施液技术抛光硅片的表层损伤研究
CdSexS1-x半导体电子结构与光学性质的研究
基于超声振动的硅片边缘抛光研究
AZO种子层和银掺杂对水热法生长氧化锌纳米棒的影响
可见光响应型TiO2-x/半导体异质（相）结的构筑与光电转换性能研究
一种过压保护器的关键性能研究与改进
基于金属氧化物半导体的人工光合作用
碲镉汞表面处理工艺研究
SAXS Channel-cut分光晶体加工与检测研究
长脉冲激光辐照单晶硅的损伤特性研究
自定义照明模式分辨力增强技术研究
局域表面等离子体纳米光刻原理与方法研究
基于扩展Zernike多项式的投影物镜全视场像差优化研究
投影光刻机中的线阵CCD高速检焦技术研究
非均匀Fe-Ti-O磁性半导体薄膜的结构、磁性和电输运特性
氧化镍薄膜基甲醛气敏特性及其改性研究
上一页
[38]
[39]
[40]
[41]
[42]
下一页
