| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-17页 |
| ·HEMT器件的研究现状和发展趋势 | 第9-11页 |
| ·GaN基HEMT器件的工作原理 | 第11-15页 |
| ·本篇论文的研究任务及意义 | 第15-17页 |
| 第2章 Zn_(1-x)Mg_xO/ZnO材料特性及工作机理 | 第17-25页 |
| ·ZnO的结构和性能 | 第17-21页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第17-18页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第18页 |
| ·ZnO的光谱与能级 | 第18-20页 |
| ·ZnO同型异质结 | 第20-21页 |
| ·ZnMgO三元合金薄膜 | 第21-25页 |
| ·l Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的晶体结构 | 第21-22页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO单层薄膜的研究现状 | 第22-25页 |
| 第3章 ZnMgO/ZnO异质结的理论仿真物理模型 | 第25-35页 |
| ·二维体系中电荷的分布 | 第25-27页 |
| ·状态密度 | 第26-27页 |
| ·电荷分布特性 | 第27页 |
| ·自洽求解基本原理 | 第27-28页 |
| ·SCPS法的计算方法 | 第28-29页 |
| ·泊松方程 | 第28-29页 |
| ·薛定谔方程 | 第29页 |
| ·ZnMgO/ZnO异质结 2DEG形成机制及影响参数 | 第29-35页 |
| ·ZnMgO/ZnO异质结 2DEG的产生机制 | 第29-32页 |
| ·ZnMgO/ZnO异质结 2DEG的影响参数 | 第32-33页 |
| ·自洽求解过程 | 第33-35页 |
| 第4章 调制掺杂ZnMgO/ZnO异质结二维电子气特性模拟 | 第35-42页 |
| ·调制掺杂ZnMgO/ZnO异质结构模型与计算 | 第35-37页 |
| ·空间层厚度对二维电子气的影响讨论 | 第37-39页 |
| ·掺杂浓度对二维电子气的影响 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第5章 ZnMgO/ZnO异质结构中极化对二维电子气的影响 | 第42-49页 |
| ·ZnMgO/ZnO异质结构模型与计算 | 第43-45页 |
| ·ZnMgO势垒层完全应变（R=0）时二维电子气的性质 | 第45-46页 |
| ·应变弛豫度R对二维电子气的影响 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第56页 |
