| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-20页 |
| ·半导体保护器件简介 | 第13-15页 |
| ·半导体保护器件的发展现状 | 第15-16页 |
| ·国外发展概况 | 第15-16页 |
| ·国内发展概况 | 第16页 |
| ·选题背景和意义 | 第16-17页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第17-18页 |
| ·论文的内容安排 | 第18-20页 |
| 第二章 开关型晶闸管保护器件的工作原理 | 第20-36页 |
| ·晶闸管简介 | 第20-21页 |
| ·正向工作 | 第20-21页 |
| ·反向工作 | 第21页 |
| ·基本工作原理 | 第21-30页 |
| ·高阻工作 | 第23页 |
| ·正向击穿 | 第23-24页 |
| ·正向导通 | 第24-26页 |
| ·器件关断 | 第26页 |
| ·反向阻断 | 第26-30页 |
| ·器件的触发原理 | 第30-35页 |
| ·热触发 | 第30-31页 |
| ·光触发 | 第31页 |
| ·阳极电流触发 | 第31页 |
| ·门极的触发原理 | 第31-35页 |
| 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 保护器件B72XX的主要特性参数及其应用研究 | 第36-42页 |
| ·主要特性参数 | 第36-37页 |
| ·静态特性参数 | 第36页 |
| ·动态特性参数 | 第36-37页 |
| ·工作原理 | 第37-38页 |
| ·应用研究 | 第38-41页 |
| ·电流触发应用 | 第39页 |
| ·电压跟随保护应用 | 第39-41页 |
| ·典型应用 | 第41页 |
| 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 提升应用电压的方法研究 | 第42-62页 |
| ·提高平面PN结反向击穿电压的措施 | 第42-49页 |
| ·平面PN结的终端效应 | 第42-43页 |
| ·衬底材料电阻率对PN结击穿电压的影响 | 第43-45页 |
| ·场版对PN结击穿电压的影响 | 第45-46页 |
| ·结面终端曲率半径对PN结击穿电压的影响 | 第46-49页 |
| ·介质层对PN结击穿电压的影响 | 第49页 |
| ·V_(AK)的提升 | 第49-55页 |
| ·V_(AK)的影响因素分析 | 第49-51页 |
| ·V_(AK)摸底测试及分析 | 第51-53页 |
| ·提高V_(AK)的措施 | 第53-55页 |
| ·效果验证 | 第55页 |
| ·提高控制三极管的发射结反向击穿电压V_(EB)的措施 | 第55-59页 |
| ·V_(EB)的影响因素分析 | 第55-56页 |
| ·V_(EB)的控制 | 第56-57页 |
| ·提高V_(EB)、控制β值的措施 | 第57页 |
| ·调整过程 | 第57-59页 |
| ·实际效果 | 第59页 |
| ·应用电压提升的整体效果 | 第59-60页 |
| 本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 降低通态电压的方法研究 | 第62-70页 |
| ·影响通态电压的因素分析 | 第62-63页 |
| ·降低体压降V_i的措施 | 第63-65页 |
| ·减薄N1区的厚度 | 第63-64页 |
| ·少子寿命的控制 | 第64-65页 |
| ·降低结压降V_j | 第65-67页 |
| ·α_1的增大 | 第65-66页 |
| ·α_2的增大 | 第66-67页 |
| ·降低接触压降V_s | 第67-68页 |
| ·降低通态电压V_T的整体效果 | 第68页 |
| 本章小结 | 第68-70页 |
| 第六章 结束语 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 作者简介 | 第75页 |