| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·GaN基材料概述 | 第10-18页 |
| ·基本性质 | 第10-11页 |
| ·极化效应 | 第11-13页 |
| ·材料应用 | 第13-14页 |
| ·材料制备 | 第14-18页 |
| ·GaN基材料及器件研究存在的问题 | 第18-20页 |
| ·本文选题依据及主要工作 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-25页 |
| 第二章 MOCVD生长系统、材料表征及模拟计算方法 | 第25-34页 |
| ·MOCVD生长系统 | 第25-27页 |
| ·材料表征方法 | 第27-31页 |
| ·高分辨X射线衍射（HRXRD） | 第27-28页 |
| ·霍尔测试（HALL） | 第28-29页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第29-30页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第30页 |
| ·拉曼光谱（Raman） | 第30-31页 |
| ·模拟计算方法 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第三章 三维生长工艺对非故意掺杂GaN外延层质量的影响 | 第34-48页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·样品制备 | 第34-35页 |
| ·三维生长温度对非故意掺杂GaN外延层质量的影响 | 第35-41页 |
| ·位错密度分析 | 第36-37页 |
| ·光学性质分析 | 第37-38页 |
| ·残余应力分析 | 第38-39页 |
| ·表面形貌分析 | 第39-41页 |
| ·三维生长V/III比对非故意掺杂GaN外延层质量的影响 | 第41-45页 |
| ·位错密度分析 | 第41-42页 |
| ·光学性质分析 | 第42页 |
| ·电学性质分析 | 第42-43页 |
| ·表面形貌分析 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第四章 阱厚对InGaN/GaN多量子阱光学性能的影响 | 第48-62页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·理论模拟研究 | 第48-53页 |
| ·模拟结构及参数设置 | 第48-49页 |
| ·模拟结果及分析 | 第49-53页 |
| ·实验研究 | 第53-58页 |
| ·样品制备 | 第53-54页 |
| ·阱层和垒层生长速率的确定 | 第54-56页 |
| ·阱厚对多量子阱光学性能的影响 | 第56-57页 |
| ·阱厚对多量子阱晶体质量的影响及临界阱厚的确定 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第五章 结论与展望 | 第62-64页 |
| ·结论 | 第62页 |
| ·展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第65页 |
