碳化硅功率器件关键工艺研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章绪论 | 第10-16页 |
| ·本文研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| ·SiC材料器件国内外研究现状 | 第11-14页 |
| ·国外发展现状 | 第11-13页 |
| ·国内发展现状 | 第13-14页 |
| ·本文的主要工作 | 第14-16页 |
| 第2章碳化硅材料的性质及关键工艺研究 | 第16-21页 |
| ·碳化硅材料的结构和性质 | 第16-18页 |
| ·碳化硅材料结构 | 第17页 |
| ·碳化硅材料性质 | 第17-18页 |
| ·碳化硅器件关键工艺研究 | 第18-20页 |
| ·欧姆接触 | 第18页 |
| ·碳化硅刻蚀工艺 | 第18-19页 |
| ·离子注入和注入激活技术 | 第19页 |
| ·表面钝化技术 | 第19-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第3章金属与半导体接触理论 | 第21-37页 |
| ·金属半导体接触基本参数 | 第21-22页 |
| ·金/半接触 | 第22-25页 |
| ·金属—半导体界面态 | 第22-23页 |
| ·导电机理 | 第23-25页 |
| ·欧姆接触 | 第25-31页 |
| ·欧姆接触形成机理 | 第25-28页 |
| ·欧姆接触获得低接触电阻的条件 | 第28-31页 |
| ·欧姆接触的测试方法 | 第31-34页 |
| ·传输线模型 | 第31-32页 |
| ·环形传输线模型 | 第32-34页 |
| ·实验模型设计 | 第34页 |
| ·金属与碳化硅接触特性研究 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章碳化硅材料欧姆接触技术研究 | 第37-45页 |
| ·N型碳化硅欧姆接触金属材料选择方案 | 第37-39页 |
| ·实验样品的制备 | 第39-44页 |
| ·电极制备工艺 | 第39-44页 |
| ·测试结果及分析 | 第44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第5章碳化硅材料刻蚀技术研究 | 第45-57页 |
| ·碳化硅材料刻蚀机理 | 第45-46页 |
| ·碳化硅刻蚀技术系统基本介绍 | 第46-50页 |
| ·RIE | 第47-48页 |
| ·ICP | 第48-50页 |
| ·刻蚀实验过程 | 第50-51页 |
| ·刻蚀实验材料准备 | 第50页 |
| ·实验步骤 | 第50-51页 |
| ·刻蚀结果及分析 | 第51-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文和专利 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
