超声波雾化施液技术抛光硅片的表层损伤研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·论文选题背景及意义 | 第8-10页 |
| ·硅技术的发展和未来 | 第10-11页 |
| ·硅技术的发展历史 | 第10-11页 |
| ·硅技术未来的研究领域 | 第11页 |
| ·硬脆晶体超精密加工表层损伤检测技术研究现状 | 第11-13页 |
| ·超声波雾化施液化学机械抛光方法 | 第13-15页 |
| ·论文主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 雾化施液CMP系统及试验仪器 | 第16-21页 |
| ·超声精细雾化CMP系统 | 第16-18页 |
| ·检测仪器及辅助设备 | 第18-20页 |
| ·检测仪器 | 第18-20页 |
| ·辅助设备 | 第20页 |
| ·试件及消耗品 | 第20-21页 |
| 第三章 雾化施液抛光硅片的表层损伤研究 | 第21-44页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·硅片表面损伤的观测与分析 | 第21-24页 |
| ·表面形貌 | 第21-22页 |
| ·表面粗糙度 | 第22-24页 |
| ·硅片亚表面损伤的观测与分析 | 第24-43页 |
| ·微裂纹形状及分布的分析 | 第24-27页 |
| ·位错的化学腐蚀形貌分析 | 第27-36页 |
| ·残余应力的拉曼光谱分析 | 第36-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 亚表面损伤深度的试验研究 | 第44-58页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·差动蚀刻速率法原理 | 第44-47页 |
| ·恒定腐蚀速率法原理 | 第44-45页 |
| ·HF腐蚀硅片的化学基础 | 第45页 |
| ·差动蚀刻速率法原理 | 第45-46页 |
| ·腐蚀速率的评价指标 | 第46-47页 |
| ·差动蚀刻速率法测量亚表面损伤深度试验 | 第47-54页 |
| ·试验方案设计 | 第47页 |
| ·雾化施液抛光硅片亚表面损伤深度测量 | 第47-51页 |
| ·传统抛光硅片亚表面损伤深度测量 | 第51-52页 |
| ·抛光方式的影响 | 第52-53页 |
| ·抛光液的影响 | 第53-54页 |
| ·表层损伤机理的探索与分析 | 第54-57页 |
| ·水解层的形成过程 | 第54-55页 |
| ·缺陷层的形成过程 | 第55-56页 |
| ·残余应力层的形成原因 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 雾化抛光工艺参数优化的试验研究 | 第58-70页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·多指标正交试验矩阵分析模型 | 第58-60页 |
| ·构造正交试验数据结构模型 | 第58页 |
| ·建立各层次评价分析矩阵 | 第58-59页 |
| ·建立影响评价指标值的权矩阵 | 第59-60页 |
| ·雾化施液抛光工艺参数的多指标优化 | 第60-66页 |
| ·试验方案设计 | 第60页 |
| ·多因素单指标试验优化分析 | 第60-61页 |
| ·多因素多指标试验综合优化分析 | 第61-66页 |
| ·抛光参数对亚表面损伤深度的影响 | 第66-69页 |
| ·雾化器电压与亚表面损伤深度的关系 | 第66-67页 |
| ·抛光垫转速与亚表面损伤深度的关系 | 第67-68页 |
| ·压力与亚表面损伤深度的关系 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 结论与展望 | 第70-72页 |
| ·结论 | 第70-71页 |
| ·展望 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第77页 |
